IRF7401
IRF7401,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS38N20D
IRFS38N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=54.0mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7932
IRFH7932,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=104A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3205
IRF3205,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=98A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8306M
IRF8306M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFL014N
IRFL014N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=160.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9410
IRF9410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=30.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFI4227
IRFI4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=26A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFBA1405P
IRFBA1405P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Super 220 (TO-273AA)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.0mOhms,Id=174A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807A
IRF7807A,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU3806
IRFU3806,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.8mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP260N
IRFP260N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=49A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3510M04-T2-A
NE3510M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:97 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式...
IRF3205ZS
IRF3205ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7437
IRFS7437,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=250A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5104
IRFH5104,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
3SK264-5-TG-E
3SK264-5-TG-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-4,参数:配置:Single Dual Gate; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:30 mA; 最大门源电压:8 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0...
NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:88 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
MMBF4391
MMBF4391,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFL024N
IRFL024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=75.0mOhms,Id=4.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562