注册账号 | 忘记密码
IRFH8324,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.1mOhms,Id=90A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CD4060BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生...
89LS52-16AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,...
SN74LVC74ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
24C16B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用...
AT89C4051-24PU单片机,低功耗高性能的CMOS ...
AT93C66A-10SU27存储器,存储芯片,3线串行EE...
74HCT573D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
U2270B-MFPY射频IC由ATMEL原厂生产,采用SO...
AT24C512C-SSHD-T存储器,存储芯片由ATMEL...