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MBR850,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR840
MBR840,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2050FCT
MBR2050FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD10100CT
MBRD10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.85V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AHN22048J
AHN22048J,继电器,DPDT,5A,48VDC,4.35KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:11 mA; 线圈电阻:4.35 KOhm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFM24J
CB1AHFM24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1ADM24J
CB1ADM24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ACNM1112
ACNM1112,继电器,SPDT,30(NO)/15(NC)A,12VDC,225Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Middle Load Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:30(NO)/15(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:53.3 mA; 线圈电阻:225 Ohm; 触点材质:Silver Alloy; 最大额定DC直流电压:14 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADY10003J
ADY10003J,继电器,SPST-NO,10A,3VDC,45Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:66.6 mA; 线圈电阻:45 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:380 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246D-320C3-28V-025L
BR246D-320C3-28V-025L,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-78A1-12V-011M
BR230-78A1-12V-011M,继电器,4PDT,10A,12V,78Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:153.85 mA; 线圈电阻:78 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-78C3-12V-015L
BR230-78C3-12V-015L,继电器,4PDT,10A,12V,78Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:153.85 mA; 线圈电阻:78 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHK12248J
AHK12248J,继电器,SPDT,15A,48VDC,2.6KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:15 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:18.5 mA; 线圈电阻:2.6 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:125 V; 工作温度:-50 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADY32003J
ADY32003J,继电器,SPST-NO/SPST-NC,8A,3VDC,45Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:66.6 mA; 线圈电阻:45 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:380 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DS1ES3J
DS1ES3J,继电器,SPDT,3A,3VDC,45Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:45 Ohm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AFTRP24J
CB1AFTRP24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
MPX5010GP
MPX5010GP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3283ELT-T
A3283ELT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-89封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH543
AH543,霍尔传感器,由CN原厂生产,SOT-89封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3291KUA-T
A3291KUA-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OH44EW
OH44EW,霍尔传感器,由SDK原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MIS-3300-015SD
MIS-3300-015SD,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MLX90242LUA
MLX90242LUA,霍尔传感器,由Melexis原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1090-HK
1090-HK,凹槽型开关,由BROTHER原厂生产,GAP14-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,带连接器,槽宽14.0mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-6B
MQ-6B,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPX2050GSX
MPX2050GSX,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1211EUA-T
A1211EUA-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5420-030-A-P-T
SM5420-030-A-P-T,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2DU10P
2DU10P,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP10X10(DIP2)封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片6mmX6mm,凸镜波长430-460nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PNZ4120001AL
PNZ4120001AL,光电二极管,由PANASONIC原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插3脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
QSDL-E118#031
QSDL-E118#031,红外发射管,AGILENT原厂生产,TOP-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1F31T
GP1F31T,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-6FH
HPI-6FH,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN205
TLN205,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S8729-10
S8729-10,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PINN波长320-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSTS7502
TSTS7502,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH221
SFH221,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,TOP-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,铁壳直插4PIN400-970nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSFF5410
TSFF5410,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S8910-02
S8910-02,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,TOP-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KOI-6002ASH
KOI-6002ASH,红外数据头,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N6303AE3
1N6303AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 154V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 1,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 246 V; 最大反向关态电压: 154 V; 最小击穿电压: 171 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6121A
1N6121A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 32.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 59.1 V; 最大反向关态电压: 32.7 V; 最小击穿电压: 40.9 V; 测试电流: 30 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE440A-E3
1.5KE440A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 376V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 602 V; 最大反向关态电压: 376 V; 最小击穿电压: 418 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6285AG
1N6285AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 53.9 V; 最大反向关态电压: 33.3 V; 最小击穿电压: 37.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6270AHE3
1N6270AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电流: 50 uA; 最大钳位电压: 13.4 V; 最大反向关态电压: 7.78 V; 最小击穿电压: 8.65 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA30ARLG
SA30ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 48.4 V; 最大反向关态电压: 30 V; 最小击穿电压: 33.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE18CA-E3
1.5KE18CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 25.2 V; 最大反向关态电压: 15.3 V; 最小击穿电压: 17.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-36AHE3
TMPG06-36AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.8V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 49.9 V; 最大反向关态电压: 30.8 V; 最小击穿电压: 34.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP16E3
5KP16E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 176 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 28.8 V; 最大反向关态电压: 16 V; 最小击穿电压: 17.8 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP100CAE3
5KP100CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 31 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 162 V; 最大反向关态电压: 100 V; 最小击穿电压: 111 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE47CA-E3
1.5KE47CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 64.8 V; 最大反向关态电压: 40.2 V; 最小击穿电压: 44.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE30CAHE3
1.5KE30CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 41.4 V; 最大反向关态电压: 25.6 V; 最小击穿电压: 28.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C331JCCNNNC
CL31C331JCCNNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 pF,电压100 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C101JIFNNNF
CL31C101JIFNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值100 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C060DB8NNNC
CL10C060DB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C5R6CB8NNNC
CL10C5R6CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C470JA3NNNC
CL03C470JA3NNNC,超小尺寸C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度±5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C110JB5NNNC
CL05C110JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值11 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C470GB8NNNC
CL10C470GB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C180GB8NNNC
CL10C180GB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C822JBFNNNE
CL21C822JBFNNNE,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8.2 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C182JB8NNNC
CL10C182JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C470JB8NNWC
CL10C470JB8NNWC,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C680JC8NNNC
CL10C680JC8NNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 pF,电压100 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562