SN74HCT245DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 7.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC374PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT24C64AN-10SU2.7存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC138PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MC14081BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV245APWR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV4052ADR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV08ADR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C01BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC86D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT45DB041D-SU单片机,4M闪存存储器由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
89C51ED2-SLSUM单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用PLCC44封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
BZX84B16,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=16V,Min=15.68V,Max=16.32V,Zzt=40欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CESD5V0D3,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Vrwm=5V,Min=6.2V,Max=7.3V,Ir=10uA,It=1mA,Vc=13V,Ipp=13A,C=95+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CESD3V3D5,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Vrwm=3.3V,Min=5V,Max=5.9V,Ir=0.08uA,It=1mA,Vc=13V,Ipp=16A,C=120+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C3V3,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3.3V,Min=3.1V,Max=3.5V,Zzt=95欧姆,Zzk=500欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784C22,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=150mW,Nom=22V,Min=20.8V,Max=23.3V,Zzt=55欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5227C,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3.6V,Min=3.53V,Max=3.67V,Zzt=24欧姆,Zzk=1700欧姆,Ir=15uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784B3V0,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=3V,Min=2.94V,Max=3.06V,Zzt=95欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=10uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784C5V1,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=150mW,Nom=5.1V,Min=4.8V,Max=5.4V,Zzt=60欧姆,Zzk=480欧姆,Ir=2uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584B22,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=22V,Min=21.56V,Max=22.44V,Zzt=55欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B33S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=33V,Min=32.34V,Max=33.66V,Zzt=80欧姆,Zzk=325欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C3V0S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=3V,Min=2.8V,Max=3.2V,Zzt=95欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=10uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5225B,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3V,Min=2.85V,Max=3.15V,Zzt=30欧姆,Zzk=1600欧姆,Ir=50uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMST3904,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
3DA5200A,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=15000mA,BVcbo=200V,BVceo=200V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=3V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
D882M,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3807,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1200mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=15V,hfe(Min)=800,hfe(Max)=3200,Vce(sat)=0.5V,fr=260+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSA614F,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=80V,BVceo=55V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA114YSA,PNP数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92S封装,参数为:Pd=300mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD233,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=2000mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTA1298,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=800mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.4V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC1815,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N3906,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1370,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.5V,fr=15+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2230A,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=800mW,Ic=100mA,BVcbo=200V,BVceo=180V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4137,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=300V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=69.0mOhms,Id=38A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7537,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=173A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1010ES,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=83A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.95mOhms,Id=326A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7769L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=124A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS23N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP3710,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7406PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=70.0mOhms,Qg Typ=39.3nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8313,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=21.6mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL7486M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ME封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=209A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7853,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1404L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=162A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST300C08L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:560 A; 浪涌电流额定值:8380 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:2.18@1635A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST230C08C0L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:410 A; 浪涌电流额定值:5970 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.69@880A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST700C12L1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:910 A; 浪涌电流额定值:16400 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.8@2000A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-40TPS08PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-247AC-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:150 mA; 额定平均通态电流:35 A; 浪涌电流额定值:600 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.85@110A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TXN625RG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Isolated,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:50 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:314 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@50A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:40 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST083S04PFN1P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:85 A; 浪涌电流额定值:2560 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:2.15@300A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST303C12LFJ1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:515 A; 浪涌电流额定值:8320 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:2.16@1255A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP7015L1DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:8 V; 最大保持电流:30(Min) mA; 浪涌电流额定值:9 A; 重复峰值正向阻断电压:8 V; 重复峰值断态电流:0.004 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TYN16-800RTQ,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:10.2 A; 浪涌电流额定值:231 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.5@32A V; 重复峰值断态电流:1 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:25 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP4400H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
TPDV840RG,可控硅整流器,品牌:ST Micro,封装:TOP-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:50 mA; 浪涌电流额定值:590 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.8@35A V; 重复峰值断态电流:0.02 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:200 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MOC8021M,光敏达林顿管输出光电耦合器,无底座连接,由Fairchild原厂生产,DIP-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR860,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD10150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10150,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.009mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2050CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10200,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=0.95V,Ir=0.009mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ11F12,继电器,SPDT,16A,12VDC,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 工作温度:-40 to 105 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFR24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN12212J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,12VDC,270Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:44.4 mA; 线圈电阻:270 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DS1E-SL2-DC48V,继电器,SPDT,3A,48VDC,12.8KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:3.75 mA; 线圈电阻:12.8 KOhm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFTDM24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-1000B3-48V-037M,继电器,DPDT,10A,48V,1KOhm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:48 mA; 线圈电阻:1 KOhm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARA220A09J,继电器,DPDT,1A,9VDC,579Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:15.5 mA; 线圈电阻:579 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ76012J,继电器,DPST-NC,16A,12VDC,576Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NC; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:20.83 mA; 线圈电阻:576 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AT24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1F24J,继电器,SPDT,20(NO)/10(NC)A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:20(NO)/10(NC) A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHK12212J,继电器,SPDT,15A,12VDC,160Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:15 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:160 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:125 V; 工作温度:-50 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADY30006J,继电器,SPST-NO/SPST-NC,8A,6VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:380 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
A1322EUA,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXV4006G,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ME3-H2,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP31-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPX2201GP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S561,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3.0-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A53E,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP0.9-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TGS203,气敏传感器,由FIGARO原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3118-015GA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ME2-CO,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP31-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MC101,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3280LUA-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS602,槽型开关,由CN原厂生产,GAP2.8-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长9.2mm宽3.5mm高5.4mm,槽宽2mm,光缝宽1.2mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CND0212A,红外数据头,由PANASONIC原厂生产,7.2X2.6X封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NDL5421P,光电二极管,由NEC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HP-1000,红外数据头,由AGILENT原厂生产,8PIN封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD500,硅光电池管,由CN原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片4mmX4mm,方平,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLOH9203,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP-SMD6封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL350A,红外发射管,SHARP原厂生产,TOP-3-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SP68P,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP6X6-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,金属圆形绿面直插芯片6mmX8mm,圆平,波长290-320nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LNA2702L,红外发射管,PANASONIC原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLT135/T,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSUS5400,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL100MN0MP,红外发射管,SHARP原厂生产,SIDE-SMD封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLT133/T8,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE11AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 15.6 V; 最大反向关态电压: 9.4 V; 最小击穿电压: 10.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6286AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 59.3 V; 最大反向关态电压: 36.8 V; 最小击穿电压: 40.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6375-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 14.1 V; 最大反向关态电压: 10 V; 最小击穿电压: 11.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
P6KE6.8AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP188AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 188V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 15.2 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 328 V; 最大反向关态电压: 188 V; 最小击穿电压: 209 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP60CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 47 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 107 V; 最大反向关态电压: 60 V; 最小击穿电压: 66.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
PIP120, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 11,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 47 A; 最大反向漏电流: 250 uA; 最大钳位电压: 319 V; 最大反向关态电压: 170 V; 最小击穿电压: 200 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6300E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 1,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 230 V; 最大反向关态电压: 130 V; 最小击穿电压: 144 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE6.8A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE33CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 45.7 V; 最大反向关态电压: 28.2 V; 最小击穿电压: 31.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP100AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 30.9 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 162 V; 最大反向关态电压: 100 V; 最小击穿电压: 111 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6476, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 107 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 78.5 V; 最大反向关态电压: 51.6 V; 最小击穿电压: 54 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C100JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C030CB3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3 pF,电压50 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C270JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值27 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C1R5CBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C1R2CBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10A475KP9NHBC,噪声X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 uF,电压10 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C3R3CA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C821KB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值820 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度±10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C100CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C6R8BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值6.8 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C390JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值39 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C3R9BB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.9 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562