AT25160AN-10SI27存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC273PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
CD4081BPWR CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT24C64AN-10SU2.7存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATF91SAM7S256C-AU-001单片机,高性能,可编程逻辑器件由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HCT86PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74LVC1G08GV低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SOT753封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATMEGA2561-16AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT24C1024BW-SH25-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATMEGA16L-8MI单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFN封装,库存实时更新,电话:0755-83897562
AT45DB021D-SH-T单片机,2M闪存存储器由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HCT373D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-20 7.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
BAS40W,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=150mW,Io=200mA,Vr=40V,Vf=1V,Ir=0.2uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C2V7S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=2.7V,Min=2.5V,Max=2.9V,Zzt=100欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=20uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SD101AWS,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Vr=60V,Vf=1V,Ir=0.2uA,Trr=1nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B7V5,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=7.5V,Min=7.35V,Max=7.65V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DW52C22LED02,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Nom=22V,Min=20.8V,Max=23.3V,Zzt=55欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C7V5,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=7.5V,Min=7V,Max=7.9V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBD4148ST,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Vr=75V,Vf=1.25V,Ir=1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DZ23C6V8,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=6.8V,Min=6.4V,Max=7.2V,Zzt=8欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAT43W,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=500mW,Vr=30V,Vf=0.45V,Ir=0.5uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B10S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=10V,Min=9.8V,Max=10.2V,Zzt=20欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=0.2uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B30,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=30V,Min=29.4V,Max=30.6V,Zzt=80欧姆,Zzk=300欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B6V2,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=6.2V,Min=6.08V,Max=6.32V,Zzt=10欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD668A,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=50mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=2V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBT1616,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=135,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTA1042D,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=2V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA113ZCA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=1K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
B772,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CJN5616,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1.25mW,Ic=1mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.5V,fr=162MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PXT8050,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD669,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB776,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=80+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD669AL,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1mW,Ic=1000mA,BVcbo=200V,BVceo=170V,BVebo=6.5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.9V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSD1691,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1300mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=1.2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD667A,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6668,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,Id=55A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM830D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7493PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3717PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7820,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=78.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6728M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHS9351,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=290mOhms,Rth(JA)=90C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1405S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.3mOhms,Id=131A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=22A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL3803,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR1010Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,Id=91A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4510,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TISP4350J3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:50 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TN815-600H,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:IPAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:5 A; 浪涌电流额定值:73 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@16A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:15 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST303C04CFL1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:620 A; 浪涌电流额定值:8320 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:2.16@1255A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP7125F3PS,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:PDIP-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:5.7 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 峰值通态电压:5@5A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST300C12L1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:560 A; 浪涌电流额定值:8380 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:2.18@1635A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST230C12C1L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:410 A; 浪涌电流额定值:5970 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.69@880A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FOD2712A,误差放大器光电耦合器,由Fairchild原厂生产,SO-8L_NB封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST303C04LFL0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:515 A; 浪涌电流额定值:8320 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:2.16@1255A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-40TPS12APBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-247AC-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:150 mA; 额定平均通态电流:35 A; 浪涌电流额定值:600 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.85@110A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:40 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST700C18L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:910 A; 浪涌电流额定值:16400 A; 重复峰值正向阻断电压:1800 V; 峰值通态电压:1.8@2000A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST083S08PFN0P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:85 A; 浪涌电流额定值:2560 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:2.15@300A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-T90RIA10,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D-55-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:90 A; 浪涌电流额定值:1870 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 峰值通态电压:1.55 V; 重复峰值断态电流:0.1 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:120 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR830,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1035,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=35V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1070FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=70V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1035CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1045,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=45V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20200,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=0.9V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR850,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2035CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10200,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=0.95V,Ir=0.009mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ13148J,继电器,SPDT,16A,48VDC,9.216KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电阻:9.216 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-320A2-28V-024M,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR19Y-900E5-26V,继电器,DPDT,5A,26VDC,900Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:26 V; 线圈电阻:900 Ohm; 最大额定AC交流电压:115 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Solder; 工作温度:-65 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN210X0J,继电器,DPDT,5A,100/110VAC,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; AC交流线圈电压:100|110 V; 线圈电流:9|10.6 mA; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ21106J,继电器,SPST-NO,16A,6VDC,240Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:25 mA; 线圈电阻:240 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
APF30312,继电器,SPDT,6A,12VDC,847Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:6 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:14.2 mA; 线圈电阻:847 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Plated; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-1000C1-48V-030M,继电器,DPDT,10A,48V,1KOhm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:48 mA; 线圈电阻:1 KOhm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN12148J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,48VDC,4.35KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:11 mA; 线圈电阻:4.35 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-20A2-6V-006L,继电器,4PDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
EC2-3SNU,继电器,DPDT,2A,3VDC,90Ohm,品牌:KEMET,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:33.33 mA; 线圈电阻:90 Ohm; 触点材质:Silver/ Gold; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1FDM12J,继电器,SPDT,40(NO)/30(NC)A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:40(NO)/30(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ11F12,继电器,SPDT,16A,12VDC,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 工作温度:-40 to 105 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
A3422,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:方向检测型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH3144,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SOT-23封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S02J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MU40,声波传感器,由CN原厂生产,DIP3封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1204,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1321LLH,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-23W封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
4ND,气敏传感器,由CITY原厂生产,TOP20-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPI-5200,凹槽型开关,由ROHM原厂生产,GAPDIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HW101A,霍尔传感器,由AKE原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:锑化铟InSb高灵敏度型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S97J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP2.2-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3245,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-2108-015GA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IR908-7P,红外发射管,EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD41PI,光电二极管,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH482,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LTR-526,光电二极管,由LITEON原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW34S,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,方型8.4X4.4X6.8,SMD-2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片2PIN芯片2.65mmX2.65mm,透明/波长400-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HP-3ML,硅光电池管,由KODENSHI原厂生产,TOP7.6-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,圆形直径7.6mm,直插2PIN,波长700-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL4800E,红外发射管,SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NDL5490L,光电二极管,由NEC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LNA2603F,红外发射管,PANASONIC原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SHR1788,红外发射管,CN原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PNZ334,光电二极管,由PANASONIC原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSTS7300,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N6280ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 33.2 V; 最大反向关态电压: 20.5 V; 最小击穿电压: 22.8 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N5610, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 47.6 V; 最大反向关态电压: 30.5 V; 最小击穿电压: 33 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE6.8CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 2000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE6.8AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP5.0A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 543 A; 最大反向漏电流: 2000 uA; 最大钳位电压: 9.2 V; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 6.4 V; 测试电流: 50 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6293AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 113 V; 最大反向关态电压: 70.1 V; 最小击穿电压: 77.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE36AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.8V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 49.9 V; 最大反向关态电压: 30.8 V; 最小击穿电压: 34.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
ICTE12C-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 17.1 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 14.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
ICTE10-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 14.1 V; 最大反向关态电压: 10 V; 最小击穿电压: 11.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
P6KE56ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 77 V; 最大反向关态电压: 47.8 V; 最小击穿电压: 53.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP160A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 19.3 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 259 V; 最大反向关态电压: 160 V; 最小击穿电压: 178 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP51AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 61 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 82.4 V; 最大反向关态电压: 51 V; 最小击穿电压: 56.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C271GB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值270 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C1R8DBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C1R5BA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.5 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C3R6CBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C9R8BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值9.8 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C680JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C100JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C151JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C090CA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值9 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C3R3CA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C680GB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C102JDFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压200 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562