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MBR1060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100CT
MBR10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20150CT
MBR20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD20100CT
MBRD20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100
MBR10100,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20200FCT
MBR20200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ11F12
ALZ11F12,继电器,SPDT,16A,12VDC,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 工作温度:-40 to 105 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFR24J
CB1AHFR24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN12212J
AHN12212J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,12VDC,270Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:44.4 mA; 线圈电阻:270 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DS1E-SL2-DC48V
DS1E-SL2-DC48V,继电器,SPDT,3A,48VDC,12.8KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:3.75 mA; 线圈电阻:12.8 KOhm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFTDM24J
CB1AHFTDM24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-1000B3-48V-037M
BR246-1000B3-48V-037M,继电器,DPDT,10A,48V,1KOhm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:48 mA; 线圈电阻:1 KOhm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARA220A09J
ARA220A09J,继电器,DPDT,1A,9VDC,579Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:15.5 mA; 线圈电阻:579 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ76012J
ADJ76012J,继电器,DPST-NC,16A,12VDC,576Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NC; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:20.83 mA; 线圈电阻:576 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AT24J
CB1AT24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1F24J
CB1F24J,继电器,SPDT,20(NO)/10(NC)A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:20(NO)/10(NC) A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHK12212J
AHK12212J,继电器,SPDT,15A,12VDC,160Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:15 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:160 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:125 V; 工作温度:-50 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADY30006J
ADY30006J,继电器,SPST-NO/SPST-NC,8A,6VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:380 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
A1322EUA
A1322EUA,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXV4006G
MPXV4006G,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ME3-H2
ME3-H2,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP31-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPX2201GP
MPX2201GP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S561
GP1S561,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3.0-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A53E
GP1A53E,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP0.9-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TGS203
TGS203,气敏传感器,由FIGARO原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3118-015GA
MPS-3118-015GA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ME2-CO
ME2-CO,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP31-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MC101
MC101,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3280LUA-T
A3280LUA-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS602
OS602,槽型开关,由CN原厂生产,GAP2.8-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长9.2mm宽3.5mm高5.4mm,槽宽2mm,光缝宽1.2mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CND0212A
CND0212A,红外数据头,由PANASONIC原厂生产,7.2X2.6X封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NDL5421P
NDL5421P,光电二极管,由NEC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HP-1000
HP-1000,红外数据头,由AGILENT原厂生产,8PIN封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD500
SPD500,硅光电池管,由CN原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片4mmX4mm,方平,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLOH9203
TLOH9203,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP-SMD6封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL350A
GL350A,红外发射管,SHARP原厂生产,TOP-3-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SP68P
SP68P,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP6X6-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,金属圆形绿面直插芯片6mmX8mm,圆平,波长290-320nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LNA2702L
LNA2702L,红外发射管,PANASONIC原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLT135/T
PLT135/T,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSUS5400
TSUS5400,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL100MN0MP
GL100MN0MP,红外发射管,SHARP原厂生产,SIDE-SMD封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLT133/T8
PLT133/T8,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE11AHE3
1.5KE11AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 15.6 V; 最大反向关态电压: 9.4 V; 最小击穿电压: 10.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6286AHE3
1N6286AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 59.3 V; 最大反向关态电压: 36.8 V; 最小击穿电压: 40.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6375-E3
1N6375-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 14.1 V; 最大反向关态电压: 10 V; 最小击穿电压: 11.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
P6KE6.8AG
P6KE6.8AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP188AHE3
5KP188AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 188V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 15.2 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 328 V; 最大反向关态电压: 188 V; 最小击穿电压: 209 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP60CE3
5KP60CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 47 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 107 V; 最大反向关态电压: 60 V; 最小击穿电压: 66.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
PIP120
PIP120, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 11,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 47 A; 最大反向漏电流: 250 uA; 最大钳位电压: 319 V; 最大反向关态电压: 170 V; 最小击穿电压: 200 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6300E3
1N6300E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 1,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 230 V; 最大反向关态电压: 130 V; 最小击穿电压: 144 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE6.8A-E3
1.5KE6.8A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE33CA-E3
1.5KE33CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 45.7 V; 最大反向关态电压: 28.2 V; 最小击穿电压: 31.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP100AHE3
5KP100AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 30.9 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 162 V; 最大反向关态电压: 100 V; 最小击穿电压: 111 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6476
1N6476, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 107 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 78.5 V; 最大反向关态电压: 51.6 V; 最小击穿电压: 54 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C100JBANFNC
CL21C100JBANFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C030CB3GNNC
CL03C030CB3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3 pF,电压50 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C270JB8NNND
CL10C270JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值27 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C1R5CBANNND
CL21C1R5CBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C1R2CBANNNC
CL21C1R2CBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10A475KP9NHBC
CL10A475KP9NHBC,噪声X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 uF,电压10 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C3R3CA3GNNH
CL03C3R3CA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C821KB8NNNC
CL10C821KB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值820 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度±10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C100CB8NNNC
CL10C100CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C6R8BO2GNNC
CL02C6R8BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值6.8 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C390JBANNNC
CL21C390JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值39 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C3R9BB5NNNC
CL05C3R9BB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.9 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562