SN74HC273DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 7.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC245DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 7.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LVC02APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74AHC373DWR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 7.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC165D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MC14042BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT91SAM7A3-AU单片机,ARM核心微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC573NSR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 5.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC125PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATTINY26L-8SU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT24C256C-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATF1504AS-15JC44单片机,高性能,可编程逻辑器件由ATMEL原厂生产,采用PLCC封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
B2020W,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=300mW,Io=2000mA,Vr=20V,Vf=0.55V,Ir=100uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C22S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=22V,Min=20.8V,Max=23.3V,Zzt=55欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1SS355,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vr=80V,Vf=1.2V,Ir=0.1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5226B,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3.3V,Min=3.14V,Max=3.47V,Zzt=28欧姆,Zzk=1600欧姆,Ir=25uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DZ23C15,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=15V,Min=13.8V,Max=15.6V,Zzt=30欧姆,Zzk=110欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CESDLC5V0G3,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOT-143封装,参数为:Vrwm=5V,Min=6.1V,Max=7.2V,Ir=0.055uA,It=1mA,Vc=11V,Ipp=2.5A,C=10pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAT54W,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=500mW,Io=100mA,Vr=30V,Vf=1V,Ir=2uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784B11,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=11V,Min=10.78V,Max=11.22V,Zzt=20欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DW52C2V7LED02,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Nom=2.7V,Min=2.5V,Max=2.9V,Zzt=100欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=20uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C6V2W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=6.2V,Min=5.8V,Max=6.6V,Zzt=10欧姆,Zzk=400欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C6V8W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=6.8V,Min=6.4V,Max=7.2V,Zzt=8欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C36S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=36V,Min=34V,Max=38V,Zzt=90欧姆,Zzk=350欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC1959,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=500mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.25V,fr=300+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD313,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=1750mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=8+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA143EUA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=30,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3930,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=30mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=220,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3052,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=200mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=150,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.3V,fr=180MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTA1297,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=2000mA,BVcbo=20V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
3CG8551,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=50V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
M8050,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=800mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=6V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1515S,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC635,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=1000mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CJP718,贴片晶体管,三极管,DFNWB2×2-3L(P0.65/0.75/0.85)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=6000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=7.5V,hfe(Min)=300,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.35V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC1923,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=100mW,Ic=20mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,fr=550+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ48V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=72A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8734,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9310,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=6.8mOhms,Qg Typ=58.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ44Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ44V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.5mOhms,Id=55A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ44VZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP048N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7540,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.1mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1405Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9317,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=10.2mOhms,Qg Typ=31.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=65.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=89W,Id@TC 25C=-28A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST183C08CFL1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:370 A; 浪涌电流额定值:5130 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.8@600A V; 重复峰值断态电流:40 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST333C08LFL1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:620 A; 浪涌电流额定值:11500 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.96@1810A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST730C16L0L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:990 A; 浪涌电流额定值:18700 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.62@2000A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TS420-600T,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:5 mA; 额定平均通态电流:2.5 A; 浪涌电流额定值:33 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@8A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:0.8 V; 最大门极触发电流:0.2 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST380CH04C0L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:960 A; 浪涌电流额定值:13000 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.58@2900A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP61089BSDR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:170 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:6.5 A; 重复峰值正向阻断电压:170 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-40 to 85 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST230C08C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:410 A; 浪涌电流额定值:5970 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.69@880A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TMMDB3,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:Mini-MELF-2,参数:类型:DIAC; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-T90RIA120S90,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D-55-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:90 A; 浪涌电流额定值:1780 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.55 V; 重复峰值断态电流:15 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:120 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FOD8316,2.5 A输出电流,IGBT驱动的光电耦合器.带有去饱和检测和隔离故障检测,由Fairchild原厂生产,SO-16L_WB封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMMDB3TG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:Mini-MELF-2,参数:类型:DIAC; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST730C12L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:990 A; 浪涌电流额定值:18700 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.62@2000A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR10150,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.009mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1070FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=70V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.95V,Ir=0.01mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1040,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=40V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1090CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=90V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2035FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AHN12112J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,12VDC,270Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:44.4 mA; 线圈电阻:270 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARA220A4HJ,继电器,DPDT,1A,4.5VDC,145Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 线圈电流:31 mA; 线圈电阻:145 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN210A1HJ,继电器,DPDT,1A,1.5VDC,22.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:1.5 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:22.5 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN211Y0J,继电器,DPDT,5A,200/220VAC,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; AC交流线圈电压:200|220 V; 线圈电流:4.5|5.3 mA; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN21112J,继电器,DPDT,5A,12VAC,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; AC交流线圈电压:12 V; 线圈电流:75 mA; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-78C3-12V-015M,继电器,4PDT,10A,12V,78Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:153.85 mA; 线圈电阻:78 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290A1-28V-019L,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR231D-28B2-6V,继电器,4PDT,10A,6V,28Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:214.28 mA; 线圈电阻:28 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DK1A1B-12V,继电器,SPST-NO/SPST-NC,8A,12VDC,720Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.6 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ64024J,继电器,DPST-NO,16A,24VDC,2.304KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:10.4 mA; 线圈电阻:2.304 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFR24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFTR24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
MPX2201DP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S37J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP2.0-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-5000-300A,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A51HRJ00F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3.0-DIP5封装,参数描述:高精度施密特输出,无固定孔,长12.2mm宽12.0mm高10.0mm,槽宽mm,光缝宽0.5mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HW302B,霍尔传感器,由AKE原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:锑化铟InSb高灵敏度型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
18,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1213LLHLT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-23W封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP3A303HC,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP16-DIP封装,参数描述:高灵敏度,带连接器,槽宽16.0mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5611,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MIS-3300-001DD,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS25B10HR,槽型开关,由CN原厂生产,GAP10-DIP5封装,参数描述:高精度施密特输出,无固定孔,长19.5mm宽6.0mm高14.0mm,槽宽10mm,光缝宽0.8mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MZ002,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TFBS5700,红外数据头,由VISHAY原厂生产,6PIN封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-2FFR4,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSAL4400,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP-5-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1FMV313TZ0F,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSUS4300,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMC-1C41-318,光电二极管,由TrueLight原厂生产,TOP-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BP104S,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,2.2X2.2-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片2PIN芯片2.2mmX2.2mm,透明/波长400-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP2W1002YP,红外数据头,由SHARP原厂生产,铁壳8PIN封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LNA4401L,红外发射管,PANASONIC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4883,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CIM-123S13R,红外数据头,由CITIZEN原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MO-BQ2M-B,光纤收发头,由NEC原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE27ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 37.5 V; 最大反向关态电压: 23.1 V; 最小击穿电压: 25.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-24AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 33.2 V; 最大反向关态电压: 20.5 V; 最小击穿电压: 22.8 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS524E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case B-(WT),参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 42 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 28.4 V; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CD0603-T24C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V,品牌:Bourns,封装:2Case 0603,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 1 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 47 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 25 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -40 to 125 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA15AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 24.4 V; 最大反向关态电压: 15 V; 最小击穿电压: 16.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE13AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 18.2 V; 最大反向关态电压: 11.1 V; 最小击穿电压: 12.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
EPS24, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 43.2 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 28.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE43A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 59.3 V; 最大反向关态电压: 36.8 V; 最小击穿电压: 40.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE100AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 137 V; 最大反向关态电压: 85.5 V; 最小击穿电压: 95 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA47AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 64.8 V; 最大反向关态电压: 40.2 V; 最小击穿电压: 44.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE56A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 77 V; 最大反向关态电压: 47.8 V; 最小击穿电压: 53.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP130CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C240JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值24 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C181JBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值180 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C222JCCNNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 nF,电压100 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C102JGHNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C681JBCNFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值680 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C060CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C471JHFNFNE,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值470 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C5R6CBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.6 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C4R3BA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.3 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C910JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值91 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C250JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值25 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C0R5BBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值0.5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562