SN74AHC14DR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC107D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LVC1G14DBVR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SOT753封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV4066ADR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT24C08BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
89LV55-12PI单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HCT04D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT89C51ED2-RLTUM单片机,低功耗高性能的CMOS 8位微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74AHC04DR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC373DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 7.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74AHC08DR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74LVC1G66GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SOT353封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
BZX784B3V0,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=3V,Min=2.94V,Max=3.06V,Zzt=95欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=10uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584C22,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=22V,Min=20.8V,Max=23.3V,Zzt=55欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784B8V2,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=8.2V,Min=8.04V,Max=8.36V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=0.7uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DW52C15LED02,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Nom=15V,Min=13.8V,Max=15.6V,Zzt=30欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C20W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=20V,Min=18.8V,Max=21.2V,Zzt=55欧姆,Zzk=225欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAV19W,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=500mW,Io=200mA,Vr=100V,Vf=1.25V,Ir=0.1uA,Trr=50nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAP64-04W,贴片PIN二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,If=100mA,Vr=175V,Ir=10uA,Rd=1.35欧姆,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5230C,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=4.7V,Min=4.61V,Max=4.79V,Zzt=19欧姆,Zzk=1900欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAV70W,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=70mA,Vr=70V,Vf=1V,Ir=0.1uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784C27,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=150mW,Nom=27V,Min=25.1V,Max=28.9V,Zzt=80欧姆,Zzk=300欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBD4148,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=350mW,Io=150mA,Vr=75V,Vf=1.25V,Ir=2.5uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784B22,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=22V,Min=21.56V,Max=22.44V,Zzt=55欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB709A,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=7V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=460,Vce(sat)=0.5V,fr=60MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS8050,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=1500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1658,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=150,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.5V,fr=95+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC369,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.5V,fr=65MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA114TSA,PNP数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92S封装,参数为:Pd=300mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSC815,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
D882H,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=3000mA,BVcbo=70V,BVceo=70V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
D882,贴片晶体管,三极管,SOT-223封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA143EKA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23-3L封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=30,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1664,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2411,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBTA93,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=500mA,BVcbo=200V,BVceo=200V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU7843,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=113A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=350A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5204,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7580M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ME封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,Id=116A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM8342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=28A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP260N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=49A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1018ES,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7936,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU4620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=78mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=134A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7413Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6716M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TYN16X-800RT,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:10.2 A; 浪涌电流额定值:210 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.5@32A V; 重复峰值断态电流:1 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:25 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP61089DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:11 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-40 to 85 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP61060PS,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:PDIP-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:6 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 峰值通态电压:7@30A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大门极触发电流:15 mA; 工作温度:-40 to 85 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST1200C20K0L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:2000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1650 A; 浪涌电流额定值:32000 A; 重复峰值正向阻断电压:2000 V; 峰值通态电压:1.73@4000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKL105/04,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:250 mA; 额定平均通态电流:105 A; 浪涌电流额定值:2094 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.8 V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 130 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-P425,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:PACE-Pak-6,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:130 mA; 额定平均通态电流:40 A; 浪涌电流额定值:400 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.4 V; 重复峰值断态电流:0.1 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST083S10PFK0P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:85 A; 浪涌电流额定值:2560 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:2.15@300A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP8211MDR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:120 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:11 A; 重复峰值正向阻断电压:120 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TN1215-800G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:30 mA; 额定平均通态电流:8 A; 浪涌电流额定值:145 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.6@24A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:15 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH56/08,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:60 A; 浪涌电流额定值:1520 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.54 V; 重复峰值断态电流:15 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST1230C12K1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1745 A; 浪涌电流额定值:35100 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.62@4000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-22RIA80,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-48-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:130 mA; 额定平均通态电流:22 A; 浪涌电流额定值:420 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.7@70A V; 重复峰值断态电流:10 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR20200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3035FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR835,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10200,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=0.95V,Ir=0.009mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1080,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1045,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=45V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20150,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=0.9V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ALFG1PF24,继电器,SPST-NO,22A,24VDC,410Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:22 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:59 mA; 线圈电阻:410 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
EE2-24SNU,继电器,DPDT,2A,24VDC,3.84KOhm,品牌:KEMET,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:6.25 mA; 线圈电阻:3.84 KOhm; 触点材质:Silver/ Gold; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 端子类型:Gull Wing; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFTR12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,89.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:134 mA; 线圈电阻:89.5 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-20A1-6V-003M,继电器,4PDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALQ305,继电器,SPST-NO,10(NO)/3(NC)A,5VDC,125Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10(NO)|3(NC) A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver/Nickel; 最大额定AC交流电压:250 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ASX220A09J,继电器,DPDT,0.01A,9VDC,1.157KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:7.8 mA; 线圈电阻:1.157 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-20B3-6V-008L,继电器,4PDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-290A1-28V-019M,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1ARM12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,89.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:134 mA; 线圈电阻:89.5 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
EC2-9NU,继电器,DPDT,2A,9VDC,579Ohm,品牌:KEMET,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:15.54 mA; 线圈电阻:579 Ohm; 触点材质:Silver/ Gold; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN22005J,继电器,DPDT,5A,5VDC,47Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:106.4 mA; 线圈电阻:47 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARA210A09J,继电器,DPDT,1A,9VDC,1.157KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:7.8 mA; 线圈电阻:1.157 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3307-015DA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
QVA21114,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,GAP3.18-DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OH3144S,霍尔传感器,由SDK原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ-2B,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-18-DIP6封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EW560,霍尔传感器,由AKE原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPX4115AP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MZ100,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MP-6,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP18-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-1208-030G,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3422,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:方向检测型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MU40,声波传感器,由CN原厂生产,DIP3封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS496B,霍尔传感器,由HOENYWELL原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CL-207,红外发射管,KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH206K,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,2.65X2.65-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片4mmX4mm,国产400-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TM3202,红外数据头,由EVERLIGHT原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4883,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPM871H14,红外数据头,由ROHM原厂生产,6.8X1.5X封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH485,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SHR0530L,红外发射管,CN原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPM851A-E2,红外数据头,由ROHM原厂生产,13P 12.0X4.8X4.0封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH482,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LN152,红外发射管,PANASONIC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4110,红外发射管,OSRAM原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPS705,光电二极管,由TOSHIBA原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N6277AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 25.2 V; 最大反向关态电压: 15.3 V; 最小击穿电压: 17.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6131A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 86.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 151.3 V; 最大反向关态电压: 86.6 V; 最小击穿电压: 104.5 V; 测试电流: 12 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6267AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE220CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 185V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 328 V; 最大反向关态电压: 185 V; 最小击穿电压: 209 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE180AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 154V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 246 V; 最大反向关态电压: 154 V; 最小击穿电压: 171 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA24ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 38.9 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 26.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6126A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 97.1 V; 最大反向关态电压: 51.7 V; 最小击穿电压: 64.6 V; 测试电流: 20 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP18CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 172 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 29.2 V; 最大反向关态电压: 18 V; 最小击穿电压: 20 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA7.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.4V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 133 A; 最大反向漏电流: 500 uA; 最大钳位电压: 11.3 V; 最大反向关态电压: 6.4 V; 最小击穿电压: 7.13 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6285AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 53.9 V; 最大反向关态电压: 33.3 V; 最小击穿电压: 37.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6277AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 25.2 V; 最大反向关态电压: 15.3 V; 最小击穿电压: 17.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE10CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.55V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 14.5 V; 最大反向关态电压: 8.55 V; 最小击穿电压: 9.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C821JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值820 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C681JB5NNWC,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值680 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C472JAFNNNE,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 nF,电压25 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C182JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C470JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C221JC8NNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压100 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C1R5CBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C1R2BB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C330GBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C391JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值390 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C560JBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值56 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C682JBFNNNE,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值6.8 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562