SN74HC00PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,批号13+,目前仓库有库存,电话:0755-83897562
ATF22V10B-15JC单片机,高性能,可编程逻辑器件由ATMEL原厂生产,采用PLCC封装,批号2012+,仓库目前有库存,电话:0755-83897562
MC14049UBDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-16封装,批号13+,目前仓库有库存,电话:0755-83897562
74HC4052PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP封装,批号13+,目前仓库有库存,电话:0755-83897562
SN74HCT273PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP封装,批号13+,目前仓库有库存,电话:0755-83897562
AT29C010A-90JU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用PLCC封装,批号2012+,仓库目前有库存,电话:0755-83897562
74LVC1G04GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SOT353封装,批号13+,目前仓库有库存,电话:0755-83897562
MC74HC4051ADR2G高速CMOS逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-16封装,批号13+,目前仓库有库存,电话:0755-83897562
SN74LV00ADR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,批号13+,目前仓库有库存,电话:0755-83897562
MC14050BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-16封装,批号13+,目前仓库有库存,电话:0755-83897562
SN74LVTH125PWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,批号13+,目前仓库有库存,电话:0755-83897562
SN74LVC1G07DCKR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SOT封装,批号13+,目前仓库有库存,电话:0755-83897562
BZT52B13S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,生产批号2019年,参数为:Pd=200mW,Nom=13V,Min=12.74V,Max=13.26V,Zzt=30欧姆,Zzk=170欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C4V7T,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,生产批号2019年,参数为:Pd=150mW,Nom=4.7V,Min=4.4V,Max=5V,Zzt=80欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784B11,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,生产批号2019年,参数为:Pd=100mW,Nom=11V,Min=10.78V,Max=11.22V,Zzt=20欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
CESDB5V0D5,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,生产批号2019年,参数为:Vrwm=5V,Min=5.8V,Max=8.8V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=14V,Ipp=8A,C=27+pF,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
BAS70,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,批号2019年,参数为:Pd=200mW,Io=70mA,Vr=70V,Vf=1V,Ir=0.1uA,Trr=5nS,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C9V1,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,生产批号2019年,参数为:Pd=300mW,Nom=9.1V,Min=8.5V,Max=9.6V,Zzt=10欧姆,Zzk=50欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C6V2,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,生产批号2019年,参数为:Pd=300mW,Nom=6.2V,Min=5.8V,Max=6.6V,Zzt=10欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784B2V4,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,生产批号2019年,参数为:Pd=100mW,Nom=2.4V,Min=2.35V,Max=2.45V,Zzt=100欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=50uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C30TS,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-363封装,生产批号2019年,参数为:Pd=200mW,Nom=30V,Min=28V,Max=32V,Zzt=80欧姆,Zzk=300欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
RB551V-30,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,批号2019年,参数为:Pd=200mW,Io=500mA,Vr=30V,Vf=0.47V,Ir=100uA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584C8V2,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,生产批号2019年,参数为:Pd=150mW,Nom=8.2V,Min=7.7V,Max=8.7V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=0.7uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C2V7,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,生产批号2019年,参数为:Pd=300mW,Nom=2.7V,Min=2.5V,Max=2.9V,Zzt=83欧姆,Zzk=500欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
BF421,晶体管,三极管,TO-92封装,批号2019年,参数为:Pcm=830mW,Ic=100mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=60MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1271A,晶体管,三极管,TO-220F封装,批号2019年,参数为:Pcm=2000mW,Ic=7000mA,BVcbo=150V,BVceo=100V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=260,Vce(sat)=0.5V,fr=30+MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
D882,贴片晶体管,三极管,SOT-223封装,批号2019年,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2785,晶体管,三极管,TO-92S封装,批号2019年,参数为:Pcm=250mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=110,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=150MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA114YKA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
9013S,晶体管,三极管,TO-92封装,批号2019年,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=64,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1994A,晶体管,三极管,TO-92封装,批号2019年,参数为:Pcm=625mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
KTC4375,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,批号2019年,参数为:Pcm=500mW,Ic=1500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
BC369,晶体管,三极管,TO-92封装,批号2019年,参数为:Pcm=625mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.5V,fr=65MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
KSC2330,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,批号2019年,参数为:Pcm=1000mW,Ic=100mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=7V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=50+MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
A94,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,批号2019年,参数为:Pcm=500mW,Ic=300mA,BVcbo=400V,BVceo=400V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=50MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC1359,晶体管,三极管,TO-92封装,批号2019年,参数为:Pcm=400mW,Ic=30mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=220,Vce(sat)=0.2V,fr=150MHz,目前库存现货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM4226,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,批号2019年,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=105A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS3107,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=230A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7434,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=320A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL38N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,批号2019年,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=54.0mOhms,Id=44A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-31A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP3415,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,批号2019年,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=43A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH9310,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=7.1mOhms,Qg Typ=58.0nC,Rth(JC)=1.6K/W,Id@TC 25C=-40A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7490,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL2505S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=104A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6798M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,批号2019年,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,Id=197A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7457PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ44VZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=57A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
TPDV1025RG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TOP-3,参数:类型:Alternistor; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:50(Typ) mA; 浪涌电流额定值:390 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:1.8@35A V; 重复峰值断态电流:0.02 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST303C08LFN1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:515 A; 浪涌电流额定值:8320 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:2.16@1255A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST110S12P0VPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST180C18C0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:350 A; 浪涌电流额定值:5230 A; 重复峰值正向阻断电压:1800 V; 峰值通态电压:1.96@750A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TT570N16KOFHPSA1,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:Tray,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:300 mA; 额定平均通态电流:570 A; 浪涌电流额定值:17000 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.53@1700A V; 重复峰值断态电流:140 mA; 最大栅极触发电压:2.2 V; 最大门极触发电流:250 mA; 工作温度:-40 to 135 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH26/12,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:27 A; 浪涌电流额定值:420 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.65 V; 重复峰值断态电流:15 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST173C10CFK0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:330 A; 浪涌电流额定值:4900 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:2.07@600A V; 重复峰值断态电流:40 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MOC256M,光电晶体管输出光电耦合器,AC交流传感输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,批号2019年,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST223C08CFN1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:390 A; 浪涌电流额定值:6130 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.58@600A V; 重复峰值断态电流:40 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST103S08PFN1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:105 A; 浪涌电流额定值:3150 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.73@300A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP7260F3PS,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:PDIP-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:200 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:5.7 A; 重复峰值正向阻断电压:200 V; 峰值通态电压:5@5A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST330S12P0PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-118-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:330 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.52@1000A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR845,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1080FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1040FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1080CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR830,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1040,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,批号2019年,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=40V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ12F24,继电器,SPDT,16A,24VDC,1.44KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:1.44 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 工作温度:-40 to 105 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1V-R-12V,继电器,SPDT,35(NO)/25(NC)A,12VDC,89.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:35(NO)/25(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:134 mA; 线圈电阻:89.5 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-1000A1-48V-032L,继电器,DPDT,10A,48V,1KOhm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:48 mA; 线圈电阻:1 KOhm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARA200A09J,继电器,DPDT,1A,9VDC,579Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:15.5 mA; 线圈电阻:579 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-20B3-6V-008L,继电器,DPDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-320C2-28V-022M,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ46024J,继电器,SPST-NO/SPST-NC,16A,24VDC,2.304KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:10.4 mA; 线圈电阻:2.304 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHDP24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DS1E-M-DC24V,继电器,SPDT,3A,24VDC,1.44KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:1.44 KOhm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR231D-28B2-6V,继电器,4PDT,10A,6V,28Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:214.28 mA; 线圈电阻:28 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ66006J,继电器,DPST-NO,16A,6VDC,144Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:41.7 mA; 线圈电阻:144 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ11F12,继电器,SPDT,16A,12VDC,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 工作温度:-40 to 105 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
SS541AT,霍尔传感器,由HOENYWELL原厂生产,SIDE-DIP封装,批号2011+,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-2307-006GA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,批号2011+,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
H23A,槽型开关,由CN原厂生产,DIP封装,批号2014+,参数描述:高灵敏度,无固定孔,无固定孔,长14mm宽6.0mm高11.4mm,槽宽6mm,光缝宽0.8mm 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXM2053D,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,批号2011+,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
ITR-9809F/T,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,DIP4封装,批号2014+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD300AB,力敏传感器,由SAMARTEC原厂生产,DIP4封装,批号2011+,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
OS10B5,槽型开关,由CN原厂生产,GAP5-DIP4封装,批号13+ROHS,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长13.5mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽5mm,光缝宽0.5mm. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
OS52VLR,槽型开关,由CN原厂生产,GAP3-DIP5封装,批号2011+,参数描述:高精度施密特输出,无固定孔,长12.2mm宽5.0mm高10.0mm,槽宽3mm,光缝宽0.5mm. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
A3515,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,批号2011+,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-1207-015A,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,批号2011+,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
TGS3820,气敏传感器,由FIGARO原厂生产,TOP9-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1L50J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3-DIP4封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
RPM872H14,红外数据头,由ROHM原厂生产,6.8X1.5X封装,批号2011+,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
RPM841H16,红外数据头,由ROHM原厂生产,6.8X1.5X封装,批号2011+,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
S7797,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,SIDE-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH3410,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,1.7X1.7-SMD-3封装,批号2012+,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片3PIN芯片1.7mmX1.7mm,透明/波长350-970nm. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4259,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP-SMD2封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
PP1191FB-2,光电二极管,由STANLEY原厂生产,DIP封装,批号2014+,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,贴片2脚. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH487P,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP3-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH484,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
PD410PI,光电二极管,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
SE301A,红外发射管,NEC原厂生产,TOP-DIP2封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
TMC-1C55-648,光电二极管,由TrueLight原厂生产,TOP-DIP5封装,批号2011+,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
TFDS6501,红外数据头,由VISHAY原厂生产,8PIN封装,批号2011+,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE56A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 77 V; 最大反向关态电压: 47.8 V; 最小击穿电压: 53.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
15KPA60CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 155 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 97.4 V; 最大反向关态电压: 60 V; 最小击穿电压: 67 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE200A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 171V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 274 V; 最大反向关态电压: 171 V; 最小击穿电压: 190 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS312, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 12V 150W,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 21 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 13.8 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP17CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 181 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 27.6 V; 最大反向关态电压: 17 V; 最小击穿电压: 18.9 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6151A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.2V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 33.3 V; 最大反向关态电压: 18.2 V; 最小击穿电压: 22.8 V; 测试电流: 50 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6104, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.3 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 12.1 V; 最大反向关态电压: 6.2 V; 最小击穿电压: 7.79 V; 测试电流: 150 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE13CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 18.2 V; 最大反向关态电压: 11.1 V; 最小击穿电压: 12.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6140A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流: 100 uA; 最大钳位电压: 12.1 V; 最大反向关态电压: 6.2 V; 最小击穿电压: 7.79 V; 测试电流: 150 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6152, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 37.4 V; 最大反向关态电压: 20.6 V; 最小击穿电压: 25.7 V; 测试电流: 50 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6378HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 25.2 V; 最大反向关态电压: 18 V; 最小击穿电压: 21.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6291ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 92 V; 最大反向关态电压: 58.1 V; 最小击穿电压: 64.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C181JB8NNWC,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值180 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C330JGFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C2R7CBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.7 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C1R5CBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C560JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值56 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C181JA5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值180 pF,电压25 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C050CB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C100CBANNNL,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C121JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值120 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C121JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值120 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C102JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C1R8CA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562