25160B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MC14013BDTR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATMEGA128A-MU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFN封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LS06DR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT89S51-24PU单片机,低功耗高性能的CMOS 8位微控制器由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC20D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
28C256-15JU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用PLCC封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HCT273PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HCT00DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
CD4052BPWR CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC164D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74AHC132PWR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AZ23C16,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=16V,Min=15.3V,Max=17.1V,Zzt=40欧姆,Zzk=170欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CESDLC5V0L4,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOT-553封装,参数为:Vrwm=5V,Min=6V,Max=7.2V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=11V,Ipp=2.5A,C=10pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B2V4S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=2.4V,Min=2.35V,Max=2.45V,Zzt=100欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=50uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5231BW,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=5.1V,Min=4.85V,Max=5.36V,Zzt=17欧姆,Zzk=1600欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784C20,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=150mW,Nom=20V,Min=18.8V,Max=21.2V,Zzt=55欧姆,Zzk=225欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAS19W,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=200mA,Vr=100V,Vf=1.25V,Ir=0.1uA,Trr=50nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RB400D,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=250mW,Io=500mA,Vr=40V,Vf=0.55V,Ir=50uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84B3V9,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3.9V,Min=3.82V,Max=3.98V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5243C,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=13V,Min=12.74V,Max=13.26V,Zzt=13欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=0.5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
B5819WS,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=250mW,Io=1000mA,Vr=40V,Vf=0.9V,Ir=1000uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAS40T,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=200mA,Vr=40V,Vf=1V,Ir=0.2uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C15W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=15V,Min=13.8V,Max=15.6V,Zzt=30欧姆,Zzk=110欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC847W,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=6V,hfe(Min)=110,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.6V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTA1271,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=120MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCX70K,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=200mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=380,hfe(Max)=630,Vce(sat)=0.55V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD42C,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=6000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1116,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=135,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=70MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA812,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=90,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.3V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPT5609,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=190+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC5287,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3500mW,Ic=5000mA,BVcbo=900V,BVceo=550V,BVebo=7V,hfe(Min)=10,hfe(Max)=25,Vce(sat)=0.5V,fr=6+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD2136,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=6V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=1.2V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA935,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=700mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB561,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=700mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=350+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP41,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=6000mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLTS6342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7240,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=25.0mOhms,Qg Typ=73.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL3705ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7406PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=70.0mOhms,Qg Typ=39.3nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU48Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR48Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4253D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 H封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=1.45mOhms,Rth(JA)=38 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5110,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.4mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR2607Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=45A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8303,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.1mOhms,Id=280A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7430-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.75mOhms,Id=522A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-10RIA80,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-48-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:130 mA; 额定平均通态电流:10 A; 浪涌电流额定值:240 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.75@32A V; 重复峰值断态电流:10 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST183S04PFL1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:195 A; 浪涌电流额定值:5130 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.8@600A V; 重复峰值断态电流:40 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST230C16C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:410 A; 浪涌电流额定值:5970 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.69@880A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TN815-600B-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:5 A; 浪涌电流额定值:73 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@16A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:15 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP4350J1BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:275 V; 最大保持电流:20(Min) mA; 浪涌电流额定值:100 A; 重复峰值正向阻断电压:275 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST330C16C3,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:720 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.96@1810A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST330S12P0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-118-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:330 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.52@1000A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-110RKI120,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2180 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.57@350A V; 重复峰值断态电流:10 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:120 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 140 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST303C10CFJ0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:620 A; 浪涌电流额定值:8320 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:2.16@1255A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST110S16P1PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-P402W,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:PACE-Pak-6,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:130 mA; 额定平均通态电流:40 A; 浪涌电流额定值:400 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.4 V; 重复峰值断态电流:0.1 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-80RIA120PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:80 A; 浪涌电流额定值:1990 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.6@250A V; 重复峰值断态电流:15 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:120 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR30100PT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-3P封装,参数为:Pd=3.5W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20100FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2030CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.85V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1080,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1090FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=90V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR845,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1035CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD10150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10150FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3035CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AFDP24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246D-320C1-28V-019L,继电器,DPDT,10A,28VDC,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Tin Plated; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARX1109J,继电器,SPDT,0.5A,9VDC,405Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:22.2 mA; 线圈电阻:405 Ohm; 触点材质:Gold Clad; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-20A2-6V-006M,继电器,4PDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AFR24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246D-80A2-12V-015M,继电器,DPDT,10A,12V,80Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:150 mA; 线圈电阻:80 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-80B2-12V-014L,继电器,DPDT,10A,12V,80Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:150 mA; 线圈电阻:80 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHTRM12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,89.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:134 mA; 线圈电阻:89.5 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-20C3-6V-007L,继电器,4PDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN21124J,继电器,DPDT,5A,24VAC,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; AC交流线圈电压:24 V; 线圈电流:37.5 mA; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFTR24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARS1609,继电器,SPDT,0.5A,9V,202.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:44.4 mA; 线圈电阻:202.5 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
A1210LLHLT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-23W封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ITR-9901,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPX5010G,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S23J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP2.0-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长5.0mm宽4.2mm高5.2mm,槽宽2.0mm,光缝宽0.3mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-2407-015AA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1L53VJ000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPX4250DP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD005G,力敏传感器,由SAMARTEC原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MC105,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EW400,霍尔传感器,由AKE原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPX4115AP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3282EUA-T2,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CIM-155F7RV2,红外数据头,由CITIZEN原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2CU04B,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP4X4-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片4mmX4mm,椭圆,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH482-2,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPS721A,光电二极管,由TOSHIBA原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-6FFR2,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TFBS4710,红外数据头,由VISHAY原厂生产,6P 8.96X3.3X2.7封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SIR-341ST3F,红外发射管,ROHM原厂生产,DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLR233,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CIM-81S7BLG,红外数据头,由CITIZEN原厂生产,7.3X2.8X封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSIL5200,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH221,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,TOP-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,铁壳直插4PIN400-970nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LNA4801L,红外发射管,PANASONIC原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE68A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 92 V; 最大反向关态电压: 58.1 V; 最小击穿电压: 64.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6287AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 64.8 V; 最大反向关态电压: 40.2 V; 最小击穿电压: 44.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP33A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 93.8 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 53.3 V; 最大反向关态电压: 33 V; 最小击穿电压: 36.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA8.2AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流: 200 uA; 最大钳位电压: 12.1 V; 最大反向关态电压: 7.02 V; 最小击穿电压: 7.79 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6268A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.4V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 133 A; 最大反向漏电流: 500 uA; 最大钳位电压: 11.3 V; 最大反向关态电压: 6.4 V; 最小击穿电压: 7.13 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE91A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 77.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 125 V; 最大反向关态电压: 77.8 V; 最小击穿电压: 86.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP10CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 294 A; 最大反向漏电流: 15 uA; 最大钳位电压: 17 V; 最大反向关态电压: 10 V; 最小击穿电压: 11.1 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6301AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 145V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 1,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 234 V; 最大反向关态电压: 145 V; 最小击穿电压: 162 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6286AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 59.3 V; 最大反向关态电压: 36.8 V; 最小击穿电压: 40.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 171 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 29.2 V; 最大反向关态电压: 18 V; 最小击穿电压: 20 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6473, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 207 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 41.4 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 27 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6280ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 33.2 V; 最大反向关态电压: 20.5 V; 最小击穿电压: 22.8 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C070CB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值7 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C080CBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C2R2BB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C621JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值620 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C152JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.5 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C5R1CB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.1 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C221GBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C121JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值120 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C221JB5NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C030BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C103JAFNNNE,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 nF,电压25 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C1R6CA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.6 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562