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FOD3184,3A输出电流,高速MOSFET/IGBT栅极驱动光电耦合器,由Fairchild原厂生产,MDIP-8L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

VS-ST303S08PFL1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-118-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:300 A; 浪涌电流额定值:8320 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:2.16@1255A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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TN1215-800G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:30 mA; 额定平均通态电流:8 A; 浪涌电流额定值:145 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.6@24A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:15 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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TISP4A250H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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VS-ST180C20C0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:2000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:350 A; 浪涌电流额定值:5230 A; 重复峰值正向阻断电压:2000 V; 峰值通态电压:1.96@750A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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TT104N14KOF,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:PB20-7,参数:类型:PCT Module; 重复峰值反向电压:1400 V; 额定平均通态电流:104 A; 浪涌电流额定值:1800 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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TISP5115H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:90 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:90 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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VS-40TPS16-M3,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-247AC-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:35 A; 浪涌电流额定值:500 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.85@110A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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VS-50RIA100,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-65-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:50 A; 浪涌电流额定值:1490 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:1.6@157A V; 重复峰值断态电流:15 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:100 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562

VS-ST180C20C1

VS-ST180C20C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:2000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:350 A; 浪涌电流额定值:5230 A; 重复峰值正向阻断电压:2000 V; 峰值通态电压:1.96@750A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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VS-ST110S04P0V,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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VS-ST1230C12K1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1745 A; 浪涌电流额定值:35100 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.62@4000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562

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MBR3040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

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MBR30200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

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MBRD10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.85V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

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MBR2030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

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MBR3035CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR20200CT

MBR20200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR1035CT

MBR1035CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR20200FCT

MBR20200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MBRB10200CT

MBRB10200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=0.92V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MBR2050CT

MBR2050CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ADJ23124J

ADJ23124J,继电器,SPST-NO,16A,24VDC,2.304KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:10.4 mA; 线圈电阻:2.304 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

CB1ATM24J

CB1ATM24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ADW1103HT

ADW1103HT,继电器,SPST-NO,16A,3VDC,45Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:45 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:277 V; 端子类型:PC Pins; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

AHN123X1J

AHN123X1J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,110VDC,22.83KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:110 V; 线圈电流:4.8 mA; 线圈电阻:22.83 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ALZ11F48

ALZ11F48,继电器,SPDT,16A,48VDC,5.76KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:8.3 mA; 线圈电阻:5.76 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 工作温度:-40 to 105 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

AEV52012

AEV52012,继电器,SPST-NO,20A,12VDC,36.7Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Compact Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:327 mA; 线圈电阻:36.7 Ohm; 最大额定DC直流电压:400 V; 端子类型:Quick Connect; 工作温度:-40 to 80 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

DK1A-5V-F

DK1A-5V-F,继电器,SPST-NO,10A,5VDC,125Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

BR246-320B1-28V-020L

BR246-320B1-28V-020L,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

BR230-20C2-6V-004L

BR230-20C2-6V-004L,继电器,4PDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ARE10A06J

ARE10A06J,继电器,SPDT,0.5A,6VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

A-3W-K

A-3W-K,继电器,DPDT,2A,3VDC,64.3Ohm,品牌:Fuji,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:46.66 mA; 线圈电阻:64.3 Ohm; 触点材质:Silver/Gold; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

ARS14Y4H

ARS14Y4H,继电器,SPDT,0.5A,4.5VDC,101.3Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 线圈电流:44.4 mA; 线圈电阻:101.3 Ohm; 触点材质:Gold; 最大额定DC直流电压:30 V; 端子类型:Gull Wing; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562

DYP-ME007TX

DYP-ME007TX,声波传感器,由CN原厂生产,DIP3封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

GP1A57HRJ00F

GP1A57HRJ00F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP10-DIP5封装,参数描述:高精度施密特输出,无固定孔,长18.6mm宽5.0mm高15.2mm,槽宽10mm,光缝宽1.8mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

GP1S34J0000F

GP1S34J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ME4-H2S

ME4-H2S,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP31-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

A3056LU

A3056LU,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:齿轮传感型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

GP1L57J0000F

GP1L57J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP10-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SM5651-015-D-3-SR

SM5651-015-D-3-SR,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ME3-NH3

ME3-NH3,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP20-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

H22A3

H22A3,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,GAP3.18-DIP封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长11.6mm宽6.15mm高10.7mm,槽宽3.0mm,光缝宽1.0mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

EW560

EW560,霍尔传感器,由AKE原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MPS-3117-001GC

MPS-3117-001GC,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

PD60T

PD60T,光电二极管,由SHARP原厂生产,TOP-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,贴片2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

GL514AE0006

GL514AE0006,红外发射管,SHARP原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

CIM-113S7V

CIM-113S7V,红外数据头,由CITIZEN原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SHR1293

SHR1293,红外发射管,CN原厂生产,TOP10-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

PD100MF0MP

PD100MF0MP,光电二极管,由SHARP原厂生产,TOP-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,贴片2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SE307-C

SE307-C,红外发射管,NEC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SLR9131AV-K

SLR9131AV-K,红外发射管,SANYO原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MCD-3T4C-003

MCD-3T4C-003,光纤收发头,由UNI原厂生产,TOP4.7-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

CIM-51S12RV

CIM-51S12RV,红外数据头,由CITIZEN原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MIE-114A2

MIE-114A2,红外发射管,UNI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

HP-2FR4

HP-2FR4,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SFH481

SFH481,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

1.5KE82CAHE3

1.5KE82CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 113 V; 最大反向关态电压: 70.1 V; 最小击穿电压: 77.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

5KP180CE3

5KP180CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

1N6303AE3

1N6303AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 154V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 1,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 246 V; 最大反向关态电压: 154 V; 最小击穿电压: 171 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

TVS528

TVS528, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 28V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case B-(WT),参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 46.5 V; 最大反向关态电压: 28 V; 最小击穿电压: 30.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

1.5KE200CAHE3

1.5KE200CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 171V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 274 V; 最大反向关态电压: 171 V; 最小击穿电压: 190 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

P6KE68ARLG

P6KE68ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 92 V; 最大反向关态电压: 58.1 V; 最小击穿电压: 64.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

1.5KE170CAHE3

1.5KE170CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 145V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 234 V; 最大反向关态电压: 145 V; 最小击穿电压: 162 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

SA13ARLG

SA13ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 21.5 V; 最大反向关态电压: 13 V; 最小击穿电压: 14.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

5KP28AE3

5KP28AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 110 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 45.5 V; 最大反向关态电压: 28 V; 最小击穿电压: 31.1 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

5KP220AE3

5KP220AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5R,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

TMPG06-18AHE3

TMPG06-18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 25.5 V; 最大反向关态电压: 15.3 V; 最小击穿电压: 17.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562

5KP8.5AHE3

5KP8.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 347 A; 最大反向漏电流: 50 uA; 最大钳位电压: 14.4 V; 最大反向关态电压: 8.5 V; 最小击穿电压: 9.44 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562