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MBR30100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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MBR1080CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1060FCT
MBR1060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20100CT
MBR20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1070CT
MBR1070CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=70V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CB1ATP24J
CB1ATP24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ76005J
ADJ76005J,继电器,DPST-NC,16A,5VDC,100Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NC; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:100 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ44006J
ADJ44006J,继电器,SPST-NO/SPST-NC,16A,6VDC,144Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:41.6 mA; 线圈电阻:144 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARE134HJ
ARE134HJ,继电器,SPDT,0.01A,4.5VDC,101Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 线圈电流:44.4 mA; 线圈电阻:101 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:24 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DSP2A-DC12V
DSP2A-DC12V,继电器,DPST-NO,5A,12VDC,480Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:25 mA; 线圈电阻:480 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ54048J
ADJ54048J,继电器,DPDT,16A,48VDC,9.216KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:5.31 mA; 线圈电阻:9.216 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGQ210A1HJ
AGQ210A1HJ,继电器,DPDT,2A,1.5VDC,22.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:1.5 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:22.5 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHTR24J
CB1AHTR24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALQ312
ALQ312,继电器,SPST-NO,10(NO)/3(NC)A,12VDC,720Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10(NO)|3(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Silver/Nickel; 最大额定AC交流电压:250 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-20C3-6V-007M
BR230-20C3-6V-007M,继电器,4PDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200S03XJ
AGN200S03XJ,继电器,DPDT,1A,3VDC,64.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:46.7 mA; 线圈电阻:64.2 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ASX200A1HJ
ASX200A1HJ,继电器,DPDT,0.01A,1.5VDC,45Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:1.5 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:45 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
SS413A
SS413A,霍尔传感器,由HONEYWELL原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:双磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ139
MQ139,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP18-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPX5010GP
MPX5010GP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MZ001
MZ001,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3142
A3142,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ITR-8402-F
ITR-8402-F,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3280ELT-T
A3280ELT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-89封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SB-AQ1-06
SB-AQ1-06,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1305
A1305,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3290KUA-T
A3290KUA-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXV5050GP
MPXV5050GP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A22LCJ00F
GP1A22LCJ00F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5.0-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,带连接器,长34.0mm宽11.0mm高21.0mm,槽宽5.0mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-2464
HPI-2464,硅光电池管,由KODENSHI原厂生产,TOP-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,圆形直径6mm,直插4PIN,波长450-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LN59L.VT
LN59L.VT,红外发射管,PANASONIC原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
G1961
G1961,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,TOP4.7-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN波长190-550nm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSTA7500
TSTA7500,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP2W1002YP
GP2W1002YP,红外数据头,由SHARP原厂生产,铁壳8PIN封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLOH9204
TLOH9204,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP-SMD6封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1FE500RK
GP1FE500RK,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TRR-1F43-231
TRR-1F43-231,光电二极管,由TrueLight原厂生产,TOP-DIP5封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSSF4500
TSSF4500,红外发射管,VISHAY原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4243
SFH4243,红外发射管,OSRAM原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN115A
TLN115A,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IS489E
IS489E,光电晶体管,由SHARP原厂生产,TOP-3-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插3脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE16AHE3
1.5KE16AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13.6V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 66.7 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 22.5 V; 最大反向关态电压: 13.6 V; 最小击穿电压: 15.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE68A-E3
1.5KE68A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 92 V; 最大反向关态电压: 58.1 V; 最小击穿电压: 64.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6164A
1N6164A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 62.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 112.8 V; 最大反向关态电压: 62.2 V; 最小击穿电压: 77.9 V; 测试电流: 15 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6105
1N6105, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 37.3 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 13.4 V; 最大反向关态电压: 6.9 V; 最小击穿电压: 8.65 V; 测试电流: 150 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
PIP500
PIP500, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 708V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 11,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 11.6 A; 最大反向漏电流: 250 uA; 最大钳位电压: 1292 V; 最大反向关态电压: 708 V; 最小击穿电压: 835 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6293A-E3
1N6293A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 113 V; 最大反向关态电压: 70.1 V; 最小击穿电压: 77.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA15AHE3
1.5KA15AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 21.2 V; 最大反向关态电压: 12.8 V; 最小击穿电压: 14.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP30A-E3
5KP30A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 48.4 V; 最大反向关态电压: 30 V; 最小击穿电压: 33.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE13CAHE3
1.5KE13CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 18.2 V; 最大反向关态电压: 11.1 V; 最小击穿电压: 12.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP43AHE3
5KP43AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 72 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 69.4 V; 最大反向关态电压: 43 V; 最小击穿电压: 47.8 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP33CE3
5KP33CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 85 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 59 V; 最大反向关态电压: 33 V; 最小击穿电压: 36.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE250AG
1.5KE250AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 214V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 344 V; 最大反向关态电压: 214 V; 最小击穿电压: 237 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C100JBCNNNC
CL31C100JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C330GBANNNC
CL21C330GBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C470JBANNND
CL21C470JBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C221JB5NNNC
CL05C221JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C070DB5NNND
CL05C070DB5NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值7 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C180JB8NNNC
CL10C180JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C270JCCNNNC
CL31C270JCCNNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值27 pF,电压100 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C150JBCNNNC
CL31C150JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值15 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C4R7CA3GNNH
CL03C4R7CA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C201JB8NFNC
CL10C201JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值200 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C4R8BO2GNNC
CL02C4R8BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.8 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度±0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C010BB8NNNC
CL10C010BB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562