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TS1220-600T,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:5 mA; 额定平均通态电流:8 A; 浪涌电流额定值:115 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@24A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:0.8 V; 最大门极触发电流:0.2 mA; 最大栅极峰值反向电压:8(Min) V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
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TP00203G,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:30 V; 最大保持电流:5 mA; 额定平均通态电流:0.51 A; 浪涌电流额定值:10 A; 重复峰值正向阻断电压:30 V; 峰值通态电压:1.7@1.2A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:0.8 V; 最大门极触发电流:0.2 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 110 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
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TPA62,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DO-15-2,参数:类型:DIAC; 重复峰值反向电压:62 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:16 A; 重复峰值正向阻断电压:62 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
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MBRD20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1045FCT
MBR1045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3045FCT
MBR3045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD10100CT
MBRD10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.85V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2030FCT
MBR2030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BR230D-78A2-12V-014M
BR230D-78A2-12V-014M,继电器,4PDT,10A,12V,78Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:153.85 mA; 线圈电阻:78 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200S24
AGN200S24,继电器,DPDT,1A,24VDC,2.504KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:9.6 mA; 线圈电阻:2.504 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200A12
AGN200A12,继电器,DPDT,1A,12VDC,1.028KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:11.7 mA; 线圈电阻:1.028 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ACT212
ACT212,继电器,SPDT/SPDT,20(NO)/10(NC)A,12VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT|SPDT; 最大额定电流:20(NO)/10(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Silver; 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-890B1-48V-026L
BR230-890B1-48V-026L,继电器,4PDT,10A,48V,890Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:53.93 mA; 线圈电阻:890 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHF12J
CB1AHF12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,80Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:150 mA; 线圈电阻:80 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AT12J
CB1AT12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230D-290C2-28V-020M
BR230D-290C2-28V-020M,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHTRP24J
CB1AHTRP24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN210A09J
AGN210A09J,继电器,DPDT,1A,9VDC,810Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:11.1 mA; 线圈电阻:810 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200S09
AGN200S09,继电器,DPDT,1A,9VDC,579Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:15.5 mA; 线圈电阻:579 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADW1205W
ADW1205W,继电器,SPST-NO,8A,5VDC,62.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:80 mA; 线圈电阻:62.5 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ME4-H2
ME4-H2,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP31-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OH3144SH
OH3144SH,霍尔传感器,由SDK原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS70T3
OS70T3,槽型开关,由CN原厂生产,GAP6-DIP封装,参数描述:高灵敏度,带固定孔,长25.0mm宽6.0mm高12.0mm,槽宽6mm,光缝宽0.8mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A18LR
GP1A18LR,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5-DI-5封装,参数描述:高精度施密特输出,无固定孔,长12.2mm宽6.0mm高7.5mm,槽宽3.2mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OJ-161
OJ-161,凹槽型开关,由ALEPH原厂生产,GAP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,槽宽5mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MR513
MR513,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS805
OS805,槽型开关,由CN原厂生产,GAP3-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,侧边带固定孔,长19.0mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽3mm,光缝宽0.8mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3120ELT
A3120ELT,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,SIDE-SMD封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3282LUA-T
A3282LUA-T,霍尔传感器,由ALLEGRO原厂生产,DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3518
A3518,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:单磁极线性型开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
T25-12A
T25-12A,声波传感器,由CN原厂生产,TOP12-DIP封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
R40-25A
R40-25A,声波传感器,由CN原厂生产,TOP25-DIP封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MSD12H31B
MSD12H31B,光电二极管,由UNI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,贴片2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN117
TLN117,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HP-2MLR
HP-2MLR,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SHR1291
SHR1291,红外发射管,CN原厂生产,TOP10-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GAP3010
GAP3010,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直径8MM.直插3PIN. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NDL5551P
NDL5551P,光电二极管,由NEC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP2W3270XP0F
GP2W3270XP0F,红外数据头,由SHARP原厂生产,BABYFACE封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL380
GL380,红外发射管,SHARP原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZYIR02-1
ZYIR02-1,红外发射管,CN原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN205
TLN205,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NDL5481P
NDL5481P,光电二极管,由NEC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LNA4905L
LNA4905L,红外发射管,PANASONIC原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
P6KE75ARLG
P6KE75ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 103 V; 最大反向关态电压: 64.1 V; 最小击穿电压: 71.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE43AHE3
1.5KE43AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 59.3 V; 最大反向关态电压: 36.8 V; 最小击穿电压: 40.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP33AHE3
5KP33AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 93.8 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 53.3 V; 最大反向关态电压: 33 V; 最小击穿电压: 36.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP15AHE3
5KP15AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 205 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 24.4 V; 最大反向关态电压: 15 V; 最小击穿电压: 16.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP110A-E3
5KP110A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 28.2 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 177 V; 最大反向关态电压: 110 V; 最小击穿电压: 122 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6373G
1N6373G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10 A; 最大反向漏电流: 300 uA; 最大钳位电压: 7.5 V; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP40A-E3
5KP40A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 77.5 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 64.5 V; 最大反向关态电压: 40 V; 最小击穿电压: 44.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP30CAE3
5KP30CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 103 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 48.4 V; 最大反向关态电压: 30 V; 最小击穿电压: 33.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6112
1N6112, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 25.1 V; 最大反向关态电压: 13.7 V; 最小击穿电压: 17.1 V; 测试电流: 65 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP24E3
5KP24E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 116 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 43 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 26.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6296A-E3
1N6296A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 94V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 152 V; 最大反向关态电压: 94 V; 最小击穿电压: 105 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP20CE3
5KP20CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 139 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 35.8 V; 最大反向关态电压: 20 V; 最小击穿电压: 22.2 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C1R8CA3GNNC
CL03C1R8CA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C150GO2GNNC
CL02C150GO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值15 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度±2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C3R9BB5NNNC
CL05C3R9BB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.9 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C8R2CBANNND
CL21C8R2CBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C330KGFNNNE
CL31C330KGFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C221JHFNNNE
CL31C221JHFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C222JBCNNNC
CL31C222JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 nF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C4R3CB8NNNC
CL10C4R3CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.3 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C090BO2GNNC
CL02C090BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值9 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C333JBHNNWE
CL31C333JBHNNWE,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 nF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C120JC8NNNC
CL10C120JC8NNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值12 pF,电压100 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C472JBFNFNE
CL21C472JBFNFNE,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562