SN74LS145DR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LVC08APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MC14541BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT89LS51-16PI单片机,低功耗高性能的CMOS 8位微控制器由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV573APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC574D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C02N-10SU1.8存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
89S8253-24JU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用PLCC封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATTINY25V-10SSU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATMEGA169PA-AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC688D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATF91SAM9260B-CU单片机,高性能,可编程逻辑器件由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
BZX784C13,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=150mW,Nom=13V,Min=12.4V,Max=14.1V,Zzt=30欧姆,Zzk=170欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84B16,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=16V,Min=15.68V,Max=16.32V,Zzt=40欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
B5819W,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=500mW,Io=1000mA,Vr=40V,Vf=0.9V,Ir=1000uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CESD5V0D5,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Vrwm=5V,Min=6.2V,Max=7.3V,Ir=0.08uA,It=1mA,Vc=13V,Ipp=13A,C=95+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C15S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=15V,Min=13.8V,Max=15.6V,Zzt=30欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B3V3,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=3.3V,Min=3.23V,Max=3.37V,Zzt=95欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84B39,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=39V,Min=38.22V,Max=39.78V,Zzt=130欧姆,Zzk=350欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C33,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=33V,Min=31V,Max=35V,Zzt=80欧姆,Zzk=325欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5226BW,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=3.33V,Min=3.14V,Max=3.47V,Zzt=28欧姆,Zzk=1600欧姆,Ir=25uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DW52C15LED02,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Nom=15V,Min=13.8V,Max=15.6V,Zzt=30欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBD4448HCDW,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-363封装,参数为:Pd=200mW,Io=250mA,Vr=80V,Vf=1.25V,Ir=0.1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DW52C11LED02,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Nom=11V,Min=10.4V,Max=11.6V,Zzt=20欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC309,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.6V,fr=130+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1586,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=100mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB776,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=80+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3437,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=15V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.3V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA113ZM,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=1K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4401,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.75V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC4097,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC858,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=125,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB649,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S9012,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=64,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4124,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=200mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=360,Vce(sat)=0.3V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP120,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7545,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.9mOhms,Id=95A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM4226,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7307Q,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on)4.5V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=90.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=58.0mOhms,RDS(on)2.7V N-ch=70.0mOhms,RDS(on)2.7V P-ch=140.0mOhms,Qg Typ N-ch=13.3nC,Qg Typ P-ch=14.7nC,Qgd Typ N-ch=5.3nC,Qgd Typ P-ch=6.0nC,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7534,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=195A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHS6242,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=22A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFY240,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-257AA封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=10.2A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU2905,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=27mOhms,Id=23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6633,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MP封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7730,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=246A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6402TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=65.0mOhms,Qg Typ=8.0nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6346,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL3006,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-T70RIA120S90,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D-55-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:70 A; 浪涌电流额定值:1740 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.55 V; 重复峰值断态电流:15 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:120 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MOCD213M,双通道光电晶体管输出光电耦合器,DC直流输入,由Fairchild原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TISP61089APS,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:PDIP-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:120 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:11 A; 重复峰值正向阻断电压:120 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-40 to 85 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH56/14,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1400 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:60 A; 浪涌电流额定值:1520 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 峰值通态电压:1.54 V; 重复峰值断态电流:15 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH230-20PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:MAGN-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:2000 V; 最大保持电流:500 mA; 额定平均通态电流:230 A; 浪涌电流额定值:7850 A; 重复峰值正向阻断电压:2000 V; 峰值通态电压:1.59 V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 130 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-2N685,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-48-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:200 V; 最大保持电流:20 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:180 A; 重复峰值正向阻断电压:200 V; 峰值通态电压:2@16A V; 重复峰值断态电流:6 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:40 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST183C08CFL0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:370 A; 浪涌电流额定值:5130 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.8@600A V; 重复峰值断态电流:40 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST300C18C0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:650 A; 浪涌电流额定值:8380 A; 重复峰值正向阻断电压:1800 V; 峰值通态电压:2.18@1635A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FOD4108,800V过零可控硅驱动器输出光电耦合器,由Fairchild原厂生产,MDIP-6L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST1200C20K1P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:2000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1650 A; 浪涌电流额定值:32000 A; 重复峰值正向阻断电压:2000 V; 峰值通态电压:1.73@4000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FOD8384,2.5A输出电流,高速MOSFET/IGBT栅极驱动光电耦合器,由Fairchild原厂生产,SO-5L-WB封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-T70RIA100,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D-55-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:70 A; 浪涌电流额定值:1740 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:1.55 V; 重复峰值断态电流:0.1 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:120 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR1080FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1090FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=90V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10200FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2050FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=50V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1045,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=45V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30100FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ASX200A1HJ,继电器,DPDT,0.01A,1.5VDC,45Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:1.5 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:45 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARE13A09J,继电器,SPDT,0.5A,9VDC,405Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:22.2 mA; 线圈电阻:405 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARA210A03J,继电器,DPDT,1A,3VDC,128.6Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:23.3 mA; 线圈电阻:128.6 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN111X0J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,100/110VAC,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; AC交流线圈电压:100|110 V; 线圈电流:9|10.6 mA; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DS1EM6J,继电器,SPDT,3A,6VDC,90Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:90 Ohm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1ARP24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AEP310X0J,继电器,SPST-NO,10A,100VDC,8.33KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Voltage and Current Cut-Off Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:100 V; 线圈电流:12 mA; 线圈电阻:8.33 KOhm; 最大额定DC直流电压:400 V; 工作温度:-40 to 80 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR247-600B3-28V,继电器,DPDT,10A,28V,600Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:46.67 mA; 线圈电阻:600 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALFG2PF18,继电器,SPST-NO,31A,18VDC,230Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:31 A; DC直流线圈电压:18 V; 线圈电流:78 mA; 线圈电阻:230 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN121X0J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,100VDC,18.87KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:100 V; 线圈电流:5.3 mA; 线圈电阻:18.87 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AFTRM12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,89.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:134 mA; 线圈电阻:89.5 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHK12348J,继电器,SPDT,15A,48VDC,2.6KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:15 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:18.5 mA; 线圈电阻:2.6 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:125 V; 工作温度:-50 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ITR-8402-F,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3280ELT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-89封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS205,槽型开关,由CN原厂生产,GAP5-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长13.0mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽5mm,光缝宽0.8mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3280ELHLT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-23W封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS42B6,槽型开关,由CN原厂生产,GAP6-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长14mm宽6.0mm高11.4mm,槽宽6mm,光缝宽0.8mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS177,霍尔传感器,由FEELING原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
R33-16A,声波传感器,由CN原厂生产,TOP16-DIP封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TGS2630,气敏传感器,由FIGARO原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MC106,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPX2050GP,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-5000-030A,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MOC7811,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,GAP5.08-DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-147A66,硅光电池管,由KODENSHI原厂生产,TOP6-DIP6封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,圆形直径6mm,直插6PIN,波长450-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD243-3B,光电二极管,由EVERLIGHT原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-304R4L,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPS703,光电二极管,由TOSHIBA原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD204-6B,光电二极管,由EVERLIGHT原厂生产,TOP5-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KOI-6713B,红外数据头,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
QSDL-D118#031,光电二极管,由AGILENT原厂生产,TOP-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S1136-44BK,硅光电池管,由HAMAMATSU原厂生产,TOP8.1-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN波长320-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1FA350TZ,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CQX48A,红外发射管,VISHAY原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PT1600R,光电二极管,由IMT原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,陶瓷顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRMS6319,红外数据头,由INFINEON原厂生产,6PIN封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N6162A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 97.1 V; 最大反向关态电压: 51.7 V; 最小击穿电压: 64.6 V; 测试电流: 20 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE6.8AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6375HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 14.1 V; 最大反向关态电压: 10 V; 最小击穿电压: 11.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6376HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 16.5 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 14.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP100A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 30.9 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 162 V; 最大反向关态电压: 100 V; 最小击穿电压: 111 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6375-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 14.1 V; 最大反向关态电压: 10 V; 最小击穿电压: 11.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6288AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 70.1 V; 最大反向关态电压: 43.6 V; 最小击穿电压: 48.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6281AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 37.5 V; 最大反向关态电压: 23.1 V; 最小击穿电压: 25.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP12E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 227 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 22 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 13.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE160CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 219 V; 最大反向关态电压: 136 V; 最小击穿电压: 152 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS312SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 12V 150W,品牌:Microsemi,封装:2A-MELF,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 21 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 13.8 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6294A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 77.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 125 V; 最大反向关态电压: 77.8 V; 最小击穿电压: 86.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C182JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C080CB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C102JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C332JHHNFNE,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 nF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C121JDCNNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值120 pF,电压200 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C010BB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C151JHFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C680JIFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C222JHHNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 nF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C4R7CA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C151JB8NNWC,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C220GB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562