IRFU5410
IRFU5410,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=205mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=66W,Id@TC 25C=-8.2A,库...
IRFHS9301
IRFHS9301,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=37.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=65.0mOhms,Qg Typ=6.9nC,Rth(JC)=13K/W,Id@TC 25C=-13A,...
IRF7205
IRF7205,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=130.0mOhms,Qg Typ=27.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0...
IRF9388
IRF9388,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR9343
IRLR9343,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=170.0mOhms,Qg Typ=31.0nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation...
IRF9393
IRF9393,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=19.4mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLMS6702
IRLMS6702,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=200.0mOhms,Qg Typ=5.8nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF5460
MMBF5460,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7240
IRF7240,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=25.0mOhms,Qg Typ=73.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRF7404
IRF7404,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=40.0mOhms,Qg Typ=33.3nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6216
IRF6216,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=240.0mOhms,Qg Typ=33.0nC,Rth(JC)=20K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR5505
IRFR5505,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=110.0mOhms,Qg Typ=21.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=57W,Id@TC 25C=-18A,库...
IRFU5505
IRFU5505,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=110.0mOhms,Qg Typ=21.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=57W,Id@TC 25C=-18A,库...
IRF7205PBF-1
IRF7205PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=130.0mOhms,Qg Typ=27nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致...
MMBFJ177
MMBFJ177,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
J176_D26Z
J176_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLML9301
IRLML9301,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=64.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=103.0mOhms,Qg Typ=4.8nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实...
IRF9392
IRF9392,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6402TRPBF-1
IRLML6402TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=65.0mOhms,Qg Typ=8.0nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
IRF7726
IRF7726,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=40.0mOhms,Qg Typ=46.0nC,Rth(JC)=70 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电...