IRF6217PBF-1
IRF6217PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2400.0mOhms,Qg Typ=6nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9332
IRF9332,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,RDS(on) Max 4.5V=28.1mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,目前库存有货.咨询...
IRF9Z34NS
IRF9Z34NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=68W,Id@TC ...
IRFU9024N
IRFU9024N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=38W,Id@TC 25C...
IRF7404
IRF7404,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=40.0mOhms,Qg Typ=33.3nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9393
IRF9393,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=19.4mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML9303
IRLML9303,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=165.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=270.0mOhms,Qg Typ=2.0nC,Rth(JC)=100 (J...
IRF5806
IRF5806,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-20V,VGs=20V,RDS(on) Max 4.5V=86.0mOhms,Qg Typ=8.3nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,Power Dissipation@TC 2...
IRLML5203
IRLML5203,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=98.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=165.0mOhms,Qg Typ=9.5nC,Rth(JC)=100 (JA...
IRF7726
IRF7726,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=40.0mOhms,Qg Typ=46.0nC,Rth(JC)=70 (JA)K/W,目前库存有货...
MMBFJ270_R1_00001
MMBFJ270_R1_00001,场效应晶体管,品牌:Panjit,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRLML6401TRPBF-1
IRLML6401TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=50.0mOhms,Qg Typ=10.0nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0...
PMBFJ176,215
PMBFJ176,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:35 mA; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
MMBF5460
MMBF5460,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFU5505
IRFU5505,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=110.0mOhms,Qg Typ=21.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=57W,Id@TC 25...
IRF9310PBF-1
IRF9310PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=6.8mOhms,Qg Typ=110nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,目前库存有货....
IRF5210S
IRF5210S,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=170W,Id@T...
IRF5803
IRF5803,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=112.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=190.0mOhms,Qg Typ=25.0nC,Rth(JC)=62.5 (...
IRF6216PBF-1
IRF6216PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=240.0mOhms,Qg Typ=33nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9520N
IRF9520N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=3.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=48W,Id@T...