IRF7240
IRF7240,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=25.0mOhms,Qg Typ=73.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRF9392
IRF9392,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR9024N
IRFR9024N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175.0mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=38W,Id@TC 25C=11A,库...
IRF9333
IRF9333,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=19.4mOhms,RDS(on) Max 4.5V=32.5mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRF7524D1
IRF7524D1,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=270.0mOhms,Qg Typ=5.4nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7526D1
IRF7526D1,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=400.0mOhms,Qg Typ=7.5nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库...
IRLML5203TRPBF-1
IRLML5203TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=98.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=165.0mOhms,Qg Typ=9.5nC,Rth(JC)=100 (JA)...
IRLML2246
IRLML2246,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=135.0mOhms,Qg Typ=2.9nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLIB9343
IRLIB9343,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=170.0mOhms,Qg Typ=31.0nC,Rth(JC)=3.84K/W,...
IRF7410PBF-1
IRF7410PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=7.0mOhms,Qg Typ=91.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU5305
IRFU5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=65mOhms,Qg Typ=42nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=89W,Id@TC 25C=-18A,库存实时更新...
IRLHS2242
IRLHS2242,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=31.0mOhms,Qg Typ=12.0nC,Rth(JC)=13K/W,Power Dissipation@TC 25C=9.6W,Id@TC 25C=...
IRF5806
IRF5806,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=20V,RDS(on) Max 4.5V=86.0mOhms,Qg Typ=8.3nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,Power Dissipation@TC 25C=2.0W,...
IRF9540NL
IRF9540NL,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=140W,Id@TC 25C=-2...
IRLMS6702PBF-1
IRLMS6702PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=200.0mOhms,Qg Typ=5.8nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
IRFU5410
IRFU5410,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=205mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=66W,Id@TC 25C=-8.2A,库...
IRFHM9331
IRFHM9331,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3 x 3封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=14.6mOhms,Qg Typ=16.0nC,Rth(JC)=6.0K/W,Id@TC 25C=-24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897...
IRLML6302
IRLML6302,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=600.0mOhms,Qg Typ=2.4nC,Rth(JC)=230 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ175
MMBFJ175,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRF9540NS
IRF9540NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=3.8W,Id@TC 25C=-2...