IRFR6215
IRFR6215,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=580.0mOhms,Qg Typ=44.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=13A,...
IRFR5305
IRFR5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=65.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=89W,Id@TC 25C=-28A,库存...
IRF7342D2
IRF7342D2,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=170.0mOhms,Qg Typ=26.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库存...
IRF7241
IRF7241,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=41.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=70.0mOhms,Qg Typ=53.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRFR9120N
IRFR9120N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=3.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=39W,Id@TC 25C=-6.5...
IRFR5505
IRFR5505,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=110.0mOhms,Qg Typ=21.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=57W,Id@TC 25C=-18A,库...
IRF6217
IRF6217,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2400.0mOhms,Qg Typ=6.0nC,Rth(JC)=20K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7204
IRF7204,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=100.0mOhms,Qg Typ=25.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0...
IRF7406
IRF7406,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=70.0mOhms,Qg Typ=39.3nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRF7321D2
IRF7321D2,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=62.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=98.0mOhms,Qg Typ=23.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库存实时...
IRFR5410
IRFR5410,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=205.0mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=66W,Id@TC 25C=13A,库...
IRF7205
IRF7205,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=130.0mOhms,Qg Typ=27.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0...
SI4435DY
SI4435DY,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=35.0mOhms,Qg Typ=40.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0...
IRF7424
IRF7424,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,RDS(on) Max 4.5V=22.0mOhms,Qg Typ=75.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRF5803D2
IRF5803D2,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=112.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=190.0mOhms,Qg Typ=25.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库存...
IRLIB9343
IRLIB9343,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=170.0mOhms,Qg Typ=31.0nC,Rth(JC)=3.84K/W,...
IRFP9140N
IRFP9140N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=120W,Id@TC 25C=...
IRLML5203
IRLML5203,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=98.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=165.0mOhms,Qg Typ=9.5nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实...
IRLML6401
IRLML6401,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=50.0mOhms,Qg Typ=10.0nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6302
IRLML6302,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=600.0mOhms,Qg Typ=2.4nC,Rth(JC)=230 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562