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IRF7342D2

IRF7342D2,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=170.0mOhms,Qg Typ=26.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:P-channel Power MOSFET with Schottky
  • 品牌:IR
  • 封装:SO-8
  • 描述:集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 170.0mΩ
  • Qg(Typ): 26.0nC
  • Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
  • Description:P-channel Power MOSFET with Schottky
  • 品牌:IR
  • 封装:SO-8
  • 描述:集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管

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