IRF7341,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=65mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7313,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=46mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7351,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=60V,VGs Max=20V,Rth(JA)=62.5(JA)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7389PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=46.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=98.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=29.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=58.0mOh...
IRFHE4250D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.0mOhms,Rth(JA)=24C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7104,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=400mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7507,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on)4.5V N-ch=140.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=270.0mOhms,RDS(on)2.7V N-ch=200.0mOhms,RDS(on)2.7...
IRF7380,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=80V,VGs Max=20V,Rth(JA)=50C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM792,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3 E封装,参数为:VBrdss=100V,VGs Max=20V,Rth(JA)=55C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7313PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=46mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7324PBF-1,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=18mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7389,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=46.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=98.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=29.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=5...
IRF7303,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=80mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9395M,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MC封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=11.9mOhms,Rth(JA)=60C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7309PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=80.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=160.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)10V ...
IRF7306,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=160mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7316,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=98mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7103Q,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=50V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=200mOhms,Rth(JA)=50C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7904,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=13.0mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7509PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro-8封装,参数为:VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=175.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=400.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=110.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=2...
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