IRFHE4250D
IRFHE4250D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.0mOhms,Rth(JA)=24C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：Dual N w Schottky-channel MOSFET
- 品牌：IR
- 封装：PQFN 6 x 6
- 描述：双N沟道带肖特基的MOS管
