IRLML9301
IRLML9301,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=64.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=103.0mOhms,Qg Typ=4.8nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实...
IRGS4045D
IRGS4045D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=6.0A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3110Z
IRLR3110Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=14.0mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG8CH42K10F
IRG8CH42K10F,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=40A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS41N15D
IRFS41N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4262D
IRGP4262D,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=40A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGB20NC60VT4
STGB20NC60VT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
FF300R12KE4
FF300R12KE4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 62MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:460 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRFZ44VZ
IRFZ44VZ,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR2905Z
IRFR2905Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.5mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3509M04-T2-A
NE3509M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:60 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式...
IRFR4105
IRFR4105,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=25A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6795M
IRF6795M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7501
IRF7501,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=135mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGR4610DPBF
IRGR4610DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及购买请...
IRGC4055B
IRGC4055B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=300V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7205PBF-1
IRF7205PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=130.0mOhms,Qg Typ=27nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致...
IRLL024Z
IRLL024Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VMMK-1225-BLKG
VMMK-1225-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SMD-3,参数:配置:Single; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:N/A to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请...
FS20R06W1E3B11BOMA1
FS20R06W1E3B11BOMA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:22-Pin,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:22; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 175...