IRFB41N15D
IRFB41N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=41A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH50T65UPD
FGH50T65UPD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃....
STGW50HF60SD
STGW50HF60SD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:110 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
MMBFJ309LT1G
MMBFJ309LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLR7843
IRLR7843,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=161A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-36077-STR
ATF-36077-STR,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Case-4 77,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:3 V; 最大连续漏极电流:45 mA; 最大门源电压:-3 V; 最大漏极栅极电压:3.5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
IRGP4086PBF
IRGP4086PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4BC20UD
IRG4BC20UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:Vces=600V,Ic@100C=6.5A,Vce(ON)@25C typ=1.85V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC50B120KB
IRGC50B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,批号2019年,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.15V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8201
IRFH8201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,批号2019年,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.95mOhms,Id=324A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW30H60DF
STGW30H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询...
IRFH5025
IRFH5025,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,批号2019年,参数为:VBrds=250V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=32A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP250N
IRFP250N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,批号2019年,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=75.0mOhms,Id=30A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW60V60F
STGW60V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
ATF-511P8-TR2
ATF-511P8-TR2,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:LPCC-8,参数:配置:Single Dual Source; 最大漏源电压:7 V; 最大连续漏极电流:1000 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
IRGP50B60PDPBF
IRGP50B60PDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755...
IRG7PK35UD1
IRG7PK35UD1,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,批号2019年,参数为:Vces=1400V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=2.00V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562
FF1200R17KE3_B2
FF1200R17KE3_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-10,参数:配置:Dual Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1700 A; 最大栅极发射极电压:±20...
IRG4RC10SDTRRP
IRG4RC10SDTRRP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG7CH54K10EF-R
IRG7CH54K10EF-R,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,批号2019年,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.90V,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562