RGT16NS65DGTL
RGT16NS65DGTL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Rohm,封装:TO-263S-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询...
IRF3710
IRF3710,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AUIRGS4062D1
AUIRGS4062D1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:59 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4PH40KD
IRG4PH40KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=2.74V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGD3HF60HDT4
STGD3HF60HDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:7.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
TF408-3-TL-H
TF408-3-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
FZ1200R17KF4
FZ1200R17KF4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin,参数:配置:Dual Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:...
IRF7420
IRF7420,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=14.0mOhms,Qg Typ=38.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW40H60DLFB
STGW40H60DLFB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55...
BSM300GA170DLC
BSM300GA170DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw....
IRG7PH44K10D-EPBF
IRG7PH44K10D-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃...
STGF6NC60HD
STGF6NC60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRLU3103
IRLU3103,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=19mOhms,Id=29A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGR4045DTRPBF
IRGR4045DTRPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报价及购...
IKW75N60TFKSA1
IKW75N60TFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
FGAF40N60UFTU
FGAF40N60UFTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRF7580M
IRF7580M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ME封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,Id=116A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4119A-E3
2N4119A-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AF-4,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFS52N15D
IRFS52N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=32.0mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKW30N60H3
IKW30N60H3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...