IRG8P25N120KDPBF
IRG8P25N120KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃....
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FGD3245G2_F085
FGD3245G2_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-252AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:480 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 1...
IRFI4321
IRFI4321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=34A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGP03N120H2XKSA1
IGP03N120H2XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...
MMBF4393LT3G
MMBF4393LT3G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IHW20N135R5XKSA1
IHW20N135R5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1350 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 17...
NGB15N41ACLT4G
NGB15N41ACLT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:440 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:15 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLR2703
IRLR2703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=22A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGC15B60KD
IRGC15B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.8V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKZ75N65NH5XKSA1
IKZ75N65NH5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作...
IRG7PH42UD2-EP
IRG7PH42UD2-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询...
IRF1324
IRF1324,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=24V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=353A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGFW30H65FB
STGFW30H65FB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...
IRF7907PBF-1
IRF7907PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=13.7mOhms,Rth(JA)=62.5 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GT60M303(Q)
GT60M303(Q),绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Toshiba,封装:TO-3P(LH)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:900 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
ATF-54143-TR1G
ATF-54143-TR1G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...
FGPF50N33BTTU
FGPF50N33BTTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:330 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRG4MC40USCV
IRG4MC40USCV,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-254AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
VS-GB100TS60NPBF
VS-GB100TS60NPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-7,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:108 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
IRFR5305
IRFR5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=65.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=89W,Id@TC 25C=-28A,库存...