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STGP8NC60KD

STGP8NC60KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:7 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0...

STGWT80V60DF

STGWT80V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...

IRFB7730

IRFB7730,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=246A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IHW20N120R3FKSA1

IHW20N120R3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...

STGP35N35LZ

STGP35N35LZ,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:320 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:12 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0...

IRG4PC30F

IRG4PC30F,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=17A,Vce(ON)@25C typ=1.59V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRGSL4B60KD1

IRGSL4B60KD1,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.6A,Vce(ON)@25C typ=2.10V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRGP4062D

IRGP4062D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=24A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRGP4640

IRGP4640,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=40A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFS3806

IRFS3806,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.8mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SKW30N60

SKW30N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...

IRGC4059B

IRGC4059B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

FF1200R17KE3

FF1200R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-10,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...

IRG8P50N120KDPBF

IRG8P50N120KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃....

TIM5964-4SL

TIM5964-4SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:3500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRGR4610DPBF

IRGR4610DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及购买请...

F4-50R12KS4

F4-50R12KS4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONO 2,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...

STGW35NC120HD

STGW35NC120HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:58 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请...

STGW40V60DLF

STGW40V60DLF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...

IRLR8726

IRLR8726,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.8mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562