IRFHM9331,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3 x 3封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=14.6mOhms,Qg Typ=16.0nC,Rth(JC)=6.0K/W,Id@TC 25C=-24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897...
FGB3236_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-263AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:330 V; 最大连续集电极电流:44 A; 最大栅极发射极电压:±12 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF7380,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=80V,VGs Max=20V,Rth(JA)=50C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-GB90SA120U,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:149 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ℃. 询报价及购...
IRFSL7730,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=246A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
APT33GF120LRDQ2G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Microsemi,封装:TO-264-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:64 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买...
IRFS33N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=56.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4MC50FSCV,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-254AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRLB4030,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3666-4-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRG4BC15UD-SPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRF2807S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHM620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGPS40B120UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Super 247 (TO-274AA)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=40A,Vce(ON)@25C typ=3.12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGB8202ANT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:440 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±15 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF1310NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=36.0mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3610S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.6mOhms,Id=103A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FP100R06KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:24-Pin ECONO 3,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:24; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:...
IRLU2905Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6401TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=50.0mOhms,Qg Typ=10.0nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
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