IRG4BC30UPBF
IRG4BC30UPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRLZ34N
IRLZ34N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=35.0mOhms,Id=27A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4750D
IRGP4750D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=50A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM7785-12UL
TIM7785-12UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:10000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
SKP04N60XKSA1
SKP04N60XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:9.4 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRGS4064D
IRGS4064D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=10A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC10UDPBF
IRG4BC10UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
BSM50GB170DN2
BSM50GB170DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:72 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF540ZL
IRF540ZL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.5mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GT60J323(Q)
GT60J323(Q),绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Toshiba,封装:TO-3P(LH)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
FGPF4633TU
FGPF4633TU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:330 V; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
STGW60V60DF
STGW60V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询...
IRG7RA13U
IRG7RA13U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:Vces=360V,Ic@100C=40A,Vce(ON)@25C typ=1.26V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4117
MMBF4117,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRF7451
IRF7451,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CC30SB
IRG4CC30SB,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTB15N135IHRWG
NGTB15N135IHRWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1350(Min) V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ...
IRGP50B60PDPBF
IRGP50B60PDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
TIM0910-5
TIM0910-5,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-9D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:5700 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
ATF-33143-TR2G
ATF-33143-TR2G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:305 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...