IRG7PH35UD1M
IRG7PH35UD1M,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=25A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU1018E
IRFU1018E,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SKP10N60AXKSA1
SKP10N60AXKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRG4MC30F
IRG4MC30F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-254AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
SGP04N60XKSA1
SGP04N60XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:9.4 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRLML0100
IRLML0100,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=220.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGD18N40LZT4
STGD18N40LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:360 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:12 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价...
FZ2400R17KE3_B2
FZ2400R17KE3_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:3600 A; 最大栅极发射极电压:±20 ...
AUIRGS30B60K
AUIRGS30B60K,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:78 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FZ400R12KE3B1HOSA1
FZ400R12KE3B1HOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:650 A; 最大栅极发射极电压...
TIM0910-08
TIM0910-08,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:10400 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFZ34N
IRFZ34N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWT30H60DFB
STGWT30H60DFB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...
IRGP4790
IRGP4790,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PH40KD
IRG4PH40KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=2.74V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP150N
IRFP150N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=36.0mOhms,Id=39A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AUIRGS4062D1TRL
AUIRGS4062D1TRL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:59 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRGSL30B60K
IRGSL30B60K,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=50A,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FT150R12KE3_B5
FT150R12KE3_B5,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:18-Pin ECONO 2,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:18; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请...
IHW20N135R5XKSA1
IHW20N135R5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1350 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 17...