STGW30N120KD
STGW30N120KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
FP25R12W2T4
FP25R12W2T4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:23-Pin EASY2B,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:39 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...
VS-GA250SA60S
VS-GA250SA60S,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ℃. 库存实时更新...
FP50R12KT4GB15BOSA1
FP50R12KT4GB15BOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:35-Pin ECONO3,参数:配置:Array 7; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温...
IRF2903Z
IRF2903Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=260A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3512S02-A
NE3512S02-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
IRG4RC10UDPBF
IRG4RC10UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7331PBF-1
IRF7331PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=30mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP9140N
IRFP9140N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=120W,Id@TC 25C=...
IRG7RC07SD
IRG7RC07SD,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=8.5A,Vce(ON)@25C typ=1.20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2907Z
IRF2907Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF600R12IP4
FF600R12IP4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:PRIME2-8,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:8; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389...
TIM5964-16UL
TIM5964-16UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:14000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
2SK3666-2-TB-E
2SK3666-2-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
FZ1600R12KE3
FZ1600R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-7,参数:配置:Dual Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:2300 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装...
IRG4BC10SD-SPBF
IRG4BC10SD-SPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRFZ44EL
IRFZ44EL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=48A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWT30H65FB
STGWT30H65FB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
FS10R12YT3
FS10R12YT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:18-Pin EASY2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:18; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
STGPL6NC60DI
STGPL6NC60DI,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:14 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...