2SK715V
2SK715V,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IKD04N60RFATMA1
IKD04N60RFATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ...
TGI7785-50L
TGI7785-50L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 7-AA04A,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:50 V; 最大连续漏极电流:15000 mA; 最大门源电压:-10 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
SGI02N120XKSA1
SGI02N120XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:6.2 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFR3710Z
IRFR3710Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGZ50N65H5XKSA1
IGZ50N65H5XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温...
IRGSL6B60KD
IRGSL6B60KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7A,Vce(ON)@25C typ=1.80V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PG42UD-EPBF
IRG7PG42UD-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1000 V; 最大连续集电极电流:85 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. ...
IRF7748L1
IRF7748L1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L6封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=148A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB4062DPBF
IRGB4062DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:48 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
TIM1112-2
TIM1112-2,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-9D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:2600 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRL6372
IRL6372,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=17.9mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC15UD-S
IRG4BC15UD-S,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.8A,Vce(ON)@25C typ=2.02V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU48Z
IRFU48Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6611
IRF6611,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH40T65SHDF_F155
FGH40T65SHDF_F155,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 1...
IGP03N120H2
IGP03N120H2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
STGD20N40LZ
STGD20N40LZ,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390(Typ) V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:16 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-5...
FF450R12ME4
FF450R12ME4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:675 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
DDB6U104N16RR
DDB6U104N16RR,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-19,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:19; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...