IRG4CF50WB
IRG4CF50WB,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=900V,Vce(ON)@25C typ=2.25V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7811AVPBF-1
IRF7811AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL3004
IRFSL3004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.75mOhms,Id=340A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7545
IRFH7545,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.2mOhms,Id=85A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH50N3
FGH50N3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
STGF19NC60KD
STGF19NC60KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请...
IRLR3105
IRLR3105,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=37.0mOhms,Id=25A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7769L1
IRF7769L1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=124A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH50N6S2D
FGH50N6S2D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRGP4063D1-EPBF
IRGP4063D1-EPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRL3713S
IRL3713S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HGTP14N40F3VL
HGTP14N40F3VL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:420 V; 最大连续集电极电流:38 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF7324
IRF7324,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=18mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGB03N120H2ATMA1
IGB03N120H2ATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
IRFI4229
IRFI4229,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=46.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC40FPBF
IRG4BC40FPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:49 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
SGP30N60
SGP30N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
MMBF4118
MMBF4118,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRG4MC30FSCV
IRG4MC30FSCV,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-254AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRF7410PBF-1
IRF7410PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=7.0mOhms,Qg Typ=91.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562