FF150R12ME3G
FF150R12ME3G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:ECONOD-11,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRLU3103
IRLU3103,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=19mOhms,Id=29A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4068D
IRGP4068D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=48A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSM100GB60DLC
BSM100GB60DLC,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:130 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRG7PH37K10DPBF
IRG7PH37K10DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃. ...
IRFHM3911
IRFHM3911,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=115.0mOhms,Id=11A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8010
IRF8010,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGB20B60PD1
IRGB20B60PD1,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=22A,Vce(ON)@25C typ=2.50V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2905
IRLR2905,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2804
IRF2804,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=280A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4IBC10UDPBF
IRG4IBC10UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6.8 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...
MMBF4392
MMBF4392,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IKD10N60RAATMA2
IKD10N60RAATMA2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175...
RGTH50TS65GC11
RGTH50TS65GC11,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Rohm,封装:TO-247N-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询...
IKB06N60TATMA1
IKB06N60TATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRFHM9391
IRFHM9391,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=14.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=22.5mOhms,Qg Typ=32.0nC,Rth(JC)=3.8K/W,Power Dis...
IRFHM830
IRFHM830,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS35R12KE3G
FS35R12KE3G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONoPACK 2B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:55 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...
IHD10N60RAATMA1
IHD10N60RAATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175...
IRF7905
IRF7905,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=21.3mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562