IKB15N60T
IKB15N60T,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRFR3910
IRFR3910,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=115.0mOhms,Id=15A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGB8206ANT4G
NGB8206ANT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±15 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRGP4078D
IRGP4078D,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=50A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH42UD2PBF
IRG7PH42UD2PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询...
IRG4PC50KD
IRG4PC50KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=30A,Vce(ON)@25C typ=1.84V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH60N60SFTU
FGH60N60SFTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
FGPF15N60UNDF
FGPF15N60UNDF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
BF556A,215
BF556A,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:7 mA; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
IRF7580M
IRF7580M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ME封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,Id=116A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3512S02-A
NE3512S02-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
3SK263-5-TG-E
3SK263-5-TG-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-4,参数:配置:Single Dual Gate; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:30 mA; 最大门源电压:8 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0...
IRG4PC30KPBF
IRG4PC30KPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
SKP15N60
SKP15N60,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRFB4310Z
IRFB4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=127A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF862,235
BF862,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:40 mA; 最大门源电压:-20 V; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
FS35R12KT3
FS35R12KT3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:55 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRGC4056F
IRGC4056F,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.55V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IGB03N120H2
IGB03N120H2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:...
IRFH8330
IRFH8330,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.6mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562