IRGR2B60KD
IRGR2B60KD,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=3.7A,Vce(ON)@25C typ=1.95V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PSC71UD
IRG4PSC71UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Super 247 (TO-274AA)封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.67V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZ400R12KE3B1HOSA1
FZ400R12KE3B1HOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:5-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:650 A; 最大栅极发射极电压...
IRG7CH44K10EF
IRG7CH44K10EF,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW40N120KD
STGW40N120KD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
IRF6646
IRF6646,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MN封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL3713
IRL3713,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CPV363M4K
CPV363M4K,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:IMS-2-13,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:13; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRG4PH50S
IRG4PH50S,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=33A,Vce(ON)@25C typ=1.47V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGSL4B60KD1PBF
IRGSL4B60KD1PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRFS23N15D
IRFS23N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,Id=23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKB15N60TATMA1
IKB15N60TATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF6643
IRF6643,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=34.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKW03N120H2FKSA1
IKW03N120H2FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:9.6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:075...
STGWT20H60DF
STGWT20H60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
IRG4PH40UDPBF
IRG4PH40UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IKW25N120T2
IKW25N120T2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:07...
IRGB4064DPBF
IRGB4064DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRFL4310
IRFL4310,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6723M2D
IRF6723M2D,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MA封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=11.3mOhms,Rth(JA)=56C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562