STGB7NC60HDT4
STGB7NC60HDT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:25 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
IGW75N60TFKSA1
IGW75N60TFKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:150 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRGB8B60KPBF
IRGB8B60KPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:28 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
STGB18N40LZT4
STGB18N40LZT4,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:360 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:12 V; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报...
NGD8205ANT4G
NGD8205ANT4G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±15 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7401PBF-1
IRF7401PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGL60N100BNTD
FGL60N100BNTD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-264-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1000 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRGPS4067DPBF
IRGPS4067DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:Super-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:240 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
TIM7179-12UL
TIM7179-12UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:10000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRF6798M
IRF6798M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,Id=197A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF1000R17IE4F
FF1000R17IE4F,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:PRIME3-9,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1390 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ...
IRG4BC40U
IRG4BC40U,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=20A,Vce(ON)@25C typ=1.72V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6711S
IRF6711S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=84A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC20S
IRG4BC20S,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=10A,Vce(ON)@25C typ=1.40V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7580M
IRF7580M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ME封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,Id=116A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB4030
IRLB4030,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NGTB40N120FL2WG
NGTB40N120FL2WG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 库存...
VMMK-1218-BLKG
VMMK-1218-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SMD-3,参数:配置:Single; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:N/A to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
IRG4MC50U
IRG4MC50U,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-254AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
STGF6NC60HD
STGF6NC60HD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389...