IRGC10B60KB
IRGC10B60KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.8V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-331M4-TR1
ATF-331M4-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:305 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
IRFZ44VZ
IRFZ44VZ,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CLF1G0035S-50,112
CLF1G0035S-50,112,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-467B-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IGA30N60H3XKSA1
IGA30N60H3XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
IRGB4B60KD1PBF
IRGB4B60KD1PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IHW30N110R3FKSA1
IHW30N110R3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1100 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
STGB20V60F
STGB20V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to...
2N4339
2N4339,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AA-2,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-50 V; 最大漏极栅极电压:-50 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG4PH40KD
IRG4PH40KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=2.74V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS75R12KE3G
FS75R12KE3G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:35-Pin ECONoPACK 3B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:105 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致...
IRG4PH40KDPBF
IRG4PH40KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
IRGB4607D
IRGB4607D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.0A,Vce(ON)@25C typ=1.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC15UD
IRG4BC15UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.8A,Vce(ON)@25C typ=2.02V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH42U-EP
IRG7PH42U-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:90 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
SGB15N120/SN
SGB15N120/SN,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
BF545C,215
BF545C,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:25 mA; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
IRF7946
IRF7946,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=198A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ112,215
PMBFJ112,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买...
IRFR4615
IRFR4615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562