IRF640NS
IRF640NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7749L1
IRF7749L1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PH35UD1-EP
IRG7PH35UD1-EP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AD-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询...
IRFSL4510
IRFSL4510,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS3004-7P
IRFS3004-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=400A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FGH75N60UFTU
FGH75N60UFTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:150 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
STGD5NB120SZ-1
STGD5NB120SZ-1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:IPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:10 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致...
SGB15N60HS
SGB15N60HS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:27 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRG4BC30FDPBF
IRG4BC30FDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRG4PH50S-E
IRG4PH50S-E,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247AD封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=33A,Vce(ON)@25C typ=1.47V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRGP4760
IRGP4760,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PSH54K10DPBF
IRG7PSH54K10DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:Super-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ...
IRGSL14C40LPBF
IRGSL14C40LPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:370 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:10 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLHM620
IRLHM620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM4234
IRFHM4234,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC40W-LPBF
IRG4BC40W-LPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-262-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRFZ48ZS
IRFZ48ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4CF50WB
IRG4CF50WB,WARP 30-150kHz IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=900V,Vce(ON)@25C typ=2.25V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FD16001200R17HP4B2BO
FD16001200R17HP4B2BOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-B-9,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-4...
J111_D74Z
J111_D74Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562