TF408-3-TL-HX
TF408-3-TL-HX,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
STGW60H60DLFB
STGW60H60DLFB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55...
IRF6629
IRF6629,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FF600R16KF4
FF600R16KF4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-10,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1600 V; 最大连续集电极电流:600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRG4PC30FPBF
IRG4PC30FPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
STGB40V60F
STGB40V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to...
IRG8P08N120KDPBF
IRG8P08N120KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:15 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃....
IRG7PH37K10DPBF
IRG7PH37K10DPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 150 ℃. ...
IRF6635
IRF6635,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS35R12W1T4
FS35R12W1T4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:21-Pin EASY1B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:21; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:65 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IKB06N60TATMA1
IKB06N60TATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRGS4610DTRLPBF
IRGS4610DTRLPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价...
IRFL024N
IRFL024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=75.0mOhms,Id=4.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGP02N120XKSA1
SGP02N120XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:6.2 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
IKB20N60H3
IKB20N60H3,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRG4PC30UDPBF
IRG4PC30UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:23 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
TIG074E8-TL-H
TIG074E8-TL-H,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:ECH-8,参数:配置:Single Quad Collector Triple Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±4 V; 安装方式:Surface Mou...
STGP30H65F
STGP30H65F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to...
BF862,215
BF862,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:40 mA; 最大门源电压:-20 V; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
IRG7PH30K10D
IRG7PH30K10D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=16A,Vce(ON)@25C typ=2.05V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562