STGWT60V60DF
STGWT60V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 t...
BSM100GAL120DLCK,
BSM100GAL120DLCK,,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:205 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...
IRGC75B60UB
IRGC75B60UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=2.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM3742-45SL-341
TIM3742-45SL-341,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRLL3303
IRLL3303,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=31.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR120N
IRFR120N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=210.0mOhms,Id=9.1A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8252
IRF8252,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGW25N120
SGW25N120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:46 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
TIG058E8-TL-H
TIG058E8-TL-H,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:ECH-8,参数:配置:Single Quad Collector Triple Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大连续集电极电流:150 A; 最大栅极发射极电压:±6 V; 安装方式:Through Hol...
TIG064E8-TL-H
TIG064E8-TL-H,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:ECH-8,参数:配置:Single Quad Collector Triple Emitter; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大栅极发射极电压:±4 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
FGH60N60SFDTU
FGH60N60SFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:120 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
VS-70MT060WHTAPBF
VS-70MT060WHTAPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:MTP-12,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:12; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:100 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83...
FGH75T65UPD_F085
FGH75T65UPD_F085,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:150 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to...
STGW20NC60V
STGW20NC60V,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:...
IRF9317
IRF9317,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=10.2mOhms,Qg Typ=31.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:075...
FF900R12IP4PBOSA1
FF900R12IP4PBOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:PRIME2-8,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:8; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:900 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 1...
2SK1875-V(TE85L,F)
2SK1875-V(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:32 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRFR4620
IRFR4620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=78.0mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW40V60DF
STGW40V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询...
IGP20N60H3XKSA1
IGP20N60H3XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...