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IRG8CH37K10F

IRG8CH37K10F,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=35A,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:Low-Vceon
  • 品牌:IR
  • 封装:Die(裸片)
  • 描述:低导通压降(Vceon)IGBT模块

电气特性 Features

  • 低导通压降(Vceon)IGBT模块
  • Vces: 1200V
  • Ic@100℃: 35A
  • Vce(ON)@25℃(typ): 1.70V
  • Description:Low-Vceon
  • 品牌:IR
  • 封装:Die(裸片)
  • 描述:低导通压降(Vceon)IGBT模块

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