IRLR3636
IRLR3636,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.8mOhms,Id=99A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB33N15D
IRFB33N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=56.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IJW120R070T1FKSA1
IJW120R070T1FKSA1,场效应晶体管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:1200 V; 最大连续漏极电流:0.035 mA; 最大门源电压:2 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价...
IRLMS1503PBF-1
IRLMS1503PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807PBF-1
IRF7807PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2805S
IRF2805S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.7mOhms,Id=135A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3515S02-A
NE3515S02-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:88 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
NE3511S02-T1C-A
NE3511S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
BF256B
BF256B,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF1405Z
IRF1405Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ44Z
IRFZ44Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7540
IRFS7540,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.1mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL530NS
IRL530NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR7540
IRFR7540,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3114Z
IRLR3114Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFI4410Z
IRFI4410Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=100V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=9.3mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLS3036-7P
IRLS3036-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.9mOhms,Id=300A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7734
IRFB7734,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=183A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3006
IRFB3006,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MCH3914-7-TL-H
MCH3914-7-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...