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IRF1407

IRF1407,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.8mOhms,Id=130A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

2SK715U-AC

2SK715U-AC,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...

IRF1503

IRF1503,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=240A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

MMBF4393LT3G

MMBF4393LT3G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...

IRF2907Z

IRF2907Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=170A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

PMBFJ108,215

PMBFJ108,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 目前库存现货,询报价及购买...

IRFR4104

IRFR4104,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.5mOhms,Id=119A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

2SK596S-C

2SK596S-C,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SC-72-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-83897562

IRFS4010-7P

IRFS4010-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=190A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

TF256TH-5-TL-H

TF256TH-5-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:VTFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRF3710S

IRF3710S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=57A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFS7434-7P

IRFS7434-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,批号2019年,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.0mOhms,Id=362A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

BFR30,215

BFR30,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...

2N4416A-E3

2N4416A-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AF-4,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:-35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 目前库存现货,询报价及购买请致电:0755-8389...

NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...

IRFP90N20D

IRFP90N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,批号2019年,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=94A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRLS4030-7P

IRLS4030-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.9mOhms,Id=190A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:Renesas,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Moun...

IRLR2703

IRLR2703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=22A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFSL4310

IRFSL4310,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,批号2019年,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=140A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562