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ATF-541M4-TR1

ATF-541M4-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:S...

IRFB4020

IRFB4020,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=18A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFB4321

IRFB4321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,Id=83A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

2SK715V-AC

2SK715V-AC,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...

IRFB3207Z

IRFB3207Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.1mOhms,Id=170A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:Renesas,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Moun...

IRFSL3607

IRFSL3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,批号2019年,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFZ46NL

IRFZ46NL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,批号2019年,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.5mOhms,Id=37A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFR2405

IRFR2405,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,批号2019年,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=56A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFZ44N

IRFZ44N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,批号2019年,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,Id=41A,目前库存有货.咨询购买请致电:0755-83897562

TIM1213-18L

TIM1213-18L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:11500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...

2SK596S-B

2SK596S-B,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562