IRFIB41N15D
IRFIB41N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLMS1503
IRLMS1503,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4213
IRFH4213,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.35mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CPH5902H-TL-E
CPH5902H-TL-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF6623
IRF6623,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ST封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8259
IRLR8259,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.7mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMD0608-4
TMD0608-4,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:16-Pin 7-BA25A,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:3000 mA; 最大门源电压:-5 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
J112RLRAG
J112RLRAG,场效应晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:5(Min) mA; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:-35 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
IRL540N
IRL540N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7739L1
IRF7739L1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.0mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLZ44N
IRLZ44N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP90N20D
IRFP90N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=94A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8202
IRFH8202,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.05mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7809AVPBF-1
IRF7809AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2907ZS
IRF2907ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7480M
IRF7480M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ME封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.2mOhms,Id=217A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6712S
IRF6712S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8252PBF-1
IRF8252PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8324
IRFH8324,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.1mOhms,Id=90A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1010NS
IRF1010NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=84A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562