IRF6710S2
IRF6710S2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S1封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.9mOhms,Id=37A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：N-channel Power MOSFET
- 品牌：IR
- 封装：DirectFET S1
- 描述：N沟道功率MOS管
