IRFIZ48N
IRFIZ48N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5250D
IRFH5250D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK932-23-TB-E
2SK932-23-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRFSL3607
IRFSL3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL540NS
IRL540NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK715V
2SK715V,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
NE3508M04-T2-A
NE3508M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方...
IRF6727M
IRF6727M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7739L2
IRF7739L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.0mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7545
IRFB7545,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.9mOhms,Id=95A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5106
IRFH5106,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL3806
IRFSL3806,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.8mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7434
IRFB7434,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=317A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3256
IRFB3256,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.4mOhms,Id=206A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3510M04-A
NE3510M04-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:97 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Su...
IRFB4019
IRFB4019,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=95.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL2910
IRL2910,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,Id=48A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFY130
IRFY130,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-257AA封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=9.1A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6710S2
IRF6710S2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S1封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.9mOhms,Id=37A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8316
IRFH8316,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.95mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562