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IRFHM830D

IRFHM830D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFU3910

IRFU3910,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=115mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRLU2703

IRLU2703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=45mOhms,Id=14A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF7413

IRF7413,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF540N

IRF540N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFP048N

IRFP048N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFB3306

IRFB3306,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.2mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

2SK932-23-TB-E

2SK932-23-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...

IRFS3307Z

IRFS3307Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.8mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFZ46NL

IRFZ46NL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.5mOhms,Id=37A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFS4410

IRFS4410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=96A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRLML0030PBF-1

IRLML0030PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF2204S

IRF2204S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRLR8729

IRLR8729,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.9mOhms,Id=58A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFS31N20D

IRFS31N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=82.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRL520NS

IRL520NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=10A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFP4368

IRFP4368,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=350A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

PMBF4392,215

PMBF4392,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大连续漏极电流:75 mA; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...

IRLZ44ZS

IRLZ44ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFP1405

IRFP1405,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.3mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562