IRF2204S
IRF2204S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3407Z
IRFB3407Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.4mOhms,Id=122A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL3607
IRFSL3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6638
IRF6638,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3710L
IRF3710L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5053
IRFH5053,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,Id=46A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7540
IRFB7540,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.1mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4510
IRFB4510,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807D1
IRF7807D1,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6678
IRF6678,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7762
IRFSL7762,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.7mOhms,Id=85A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6613
IRF6613,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7457PBF-1
IRF7457PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5210
IRFH5210,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.9mOhms,Id=55A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:88 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
IRFZ48VS
IRFZ48VS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=72A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7832PBF-1
IRF7832PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8707
IRF8707,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7546
IRFB7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.3mOhms,Id=53A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK715W
2SK715W,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...