IRF3315
IRF3315,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,Id=21A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU1018E
IRFU1018E,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J112
J112,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF6641
IRF6641,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=59.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6665
IRF6665,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SH封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=62.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2907ZS-7P
IRF2907ZS-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5302
IRFH5302,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.1mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR13N15D
IRFR13N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=14A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB4030
IRLB4030,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF513,215
BF513,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:30 mA; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
NE3510M04-T2-A
NE3510M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:97 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式...
IRFS31N20D
IRFS31N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=82.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6617
IRF6617,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ST封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J310G
J310G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF1010ES
IRF1010ES,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=83A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF5801
IRF5801,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=2200.0mOhms,Id=0.6A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CLF1G0035-50,112
CLF1G0035-50,112,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-467C-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150 V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFP4227
IRFP4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,Id=65A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J112RLRAG
J112RLRAG,场效应晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:5(Min) mA; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:-35 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
IRFP4310Z
IRFP4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=134A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562