MCH5908H-TL-E
MCH5908H-TL-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-5,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFB4615
IRFB4615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS52N15D
IRFS52N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=32.0mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR18N15D
IRFR18N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=125.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF252-5-TL-H
TF252-5-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFB3307
IRFB3307,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.3mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP250N
IRFP250N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=75.0mOhms,Id=30A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3808
IRF3808,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP3415
IRFP3415,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6628
IRF6628,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFML8244
IRFML8244,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=24.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6662
IRF6662,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLMS1503
IRLMS1503,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMMBFJ310LT1G
SMMBFJ310LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF6643
IRF6643,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MZ封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=34.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7815
IRF7815,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=43.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8256
IRLR8256,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.7mOhms,Id=81A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3410
IRFR3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3305
IRF3305,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8330
IRFH8330,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.6mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562