IRF6893M
IRF6893M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=168A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU7746
IRFU7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-PAK封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.2mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6798M
IRF6798M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,Id=197A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR120N
IRLR120N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=185.0mOhms,Id=11A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5406
IRFH5406,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.4mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5053
IRFH5053,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,Id=46A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS31N20D
IRFS31N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=82.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4391
MMBF4391,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRLML0060
IRLML0060,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=92.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4127
IRFS4127,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=72A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7842
IRF7842,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB23N15D
IRFB23N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,Id=23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL530NS
IRL530NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7805
IRF7805,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ109,215
PMBFJ109,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买...
IRLL2705
IRLL2705,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML2402TRPBF-1
IRLML2402TRPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7580M
IRF7580M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ME封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,Id=116A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL1404S
IRL1404S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK208-GR(TE85L,F)
2SK208-GR(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:6.5 mA; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...