注册账号 | 忘记密码
IRFH8316,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.95mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74HC164PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
74LVT125D低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
SN74AHC00PWR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生...
24C16AN-10SU2.7存储器,存储芯片由ATMEL原...
CD74HC154M96高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
24C32AN-10SU18存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
SN74HCU04DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
SN74HC163DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
SN7407DR逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,...