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首页 > 产品展示 > 场效应管(MosFET) > N沟道场效应管
IRFH8202
IRFH8202

IRFH8202

IRFH8202,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.05mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description：N-channel Power MOSFET
  • 品牌：IR
  • 封装：PQFN 5 x 6 B/E
  • 描述：N沟道功率MOS管

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.05mΩ
  • Description：N-channel Power MOSFET
  • 品牌：IR
  • 封装：PQFN 5 x 6 B/E
  • 描述：N沟道功率MOS管

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