IRF1404
IRF1404,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=162A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML2030
IRLML2030,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFBA90N20D
IRFBA90N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Super 220 (TO-273AA)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=98A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6717M
IRF6717M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=220A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3717
IRF3717,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6631
IRF6631,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB3034
IRLB3034,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=343A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3256
IRFB3256,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.4mOhms,Id=206A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4137
IRFP4137,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=300V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=69.0mOhms,Id=38A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF520NS
IRF520NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFIZ44N
IRFIZ44N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=24.0mOhms,Id=28A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFIZ24N
IRFIZ24N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,Id=13A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLH5036
IRLH5036,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-551M4-BLK
ATF-551M4-BLK,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...
IRF6611
IRF6611,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB8743
IRLB8743,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.2mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CLF1G0060S-30U
CLF1G0060S-30U,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:CDFM-2,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-55 to 250 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFB3077
IRFB3077,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL3607
IRFSL3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS23N20D
IRFS23N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562