IRF6619
IRF6619,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：N-channel Power MOSFET
- 品牌：IR
- 封装：DirectFET MX
- 描述：N沟道功率MOS管
