IRFU7746
IRFU7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-PAK封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.2mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6678
IRF6678,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6633A
IRF6633A,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MU封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,Id=69A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7805Z
IRF7805Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF862,215
BF862,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:40 mA; 最大门源电压:-20 V; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
IRLL014N
IRLL014N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=140.0mOhms,Id=2.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7188
IRFH7188,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7455PBF-1
IRF7455PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7834
IRF7834,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3510M04-T2-A
NE3510M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:97 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式...
TF256-5-TL-H
TF256-5-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
BF862,235
BF862,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:40 mA; 最大门源电压:-20 V; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
IRFB7530
IRFB7530,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.0mOhms,Id=295A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4227
IRFS4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2804L
IRF2804L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=280A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF545B,215
BF545B,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:15 mA; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
CLF1G0060-30U
CLF1G0060-30U,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:CDFM-2,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TF252-4-TL-H
TF252-4-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7759L2
IRF7759L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4210D
IRFH4210D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.1mOhms,Id=266A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562