2SK389BL
2SK389BL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:7-Pin 2-10M1A,参数:配置:Dual; 沟道类型:N沟道; 最大漏极栅极电压:-50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF1018ESL
IRF1018ESL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLL2705
IRLL2705,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3410
IRFR3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS41N15D
IRFS41N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3511S02-A
NE3511S02-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
IRF1324
IRF1324,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=24V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=353A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH6200
IRFH6200,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7171M
IRF7171M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MN封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=93A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFIZ24N
IRFIZ24N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,Id=13A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3557-6-TB-E
2SK3557-6-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRF6635
IRF6635,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF520NS
IRF520NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ110
MMBFJ110,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SuperSOT-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TF202THC-4-TL-H
TF202THC-4-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:VTFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF6726M
IRF6726M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3709S
IRF3709S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=90A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807V
IRF7807V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3666-2-TB-E
2SK3666-2-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
2SK715U
2SK715U,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...