注册账号 | 忘记密码
IRFH8201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.95mOhms,Id=324A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AT24C08B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...
AT89S8253-24PU单片机,低功耗高性能的CMOS ...
74LVC1G125GV低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生...
24C64CN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...
24C1024BN-SH25-T存储器,存储芯片由ATMEL...
CD4504BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂...
MC14175BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
25040AN-10SI27存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
74HC123D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...