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IRFHM8337

IRFHM8337,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.4mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:N-channel Power MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 3.3 x 3.3
  • 描述:N沟道功率MOS管

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.4mΩ
  • Id: 35A
  • Description:N-channel Power MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 3.3 x 3.3
  • 描述:N沟道功率MOS管

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