TF252TH-5-TL-H
TF252TH-5-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:VTFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFS33N15D
IRFS33N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=56.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7478
IRF7478,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLL2705
IRLL2705,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3205ZL
IRF3205ZL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF520N
IRF520N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Id=9.7A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1503
IRF1503,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=240A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4768
IRFP4768,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=250V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,Id=93A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL2505
IRL2505,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=104A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR120N
IRLR120N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=185.0mOhms,Id=11A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3607
IRFB3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK208-GR(TE85L,F)
2SK208-GR(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:6.5 mA; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRFH8201
IRFH8201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.95mOhms,Id=324A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL3803V
IRL3803V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=5.5mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4620
IRFB4620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=72.5mOhms,Id=25A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR3410
IRLR3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,Id=15A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4321
IRFP4321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=15.5mOhms,Id=78A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLMS1902
IRLMS1902,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2204
IRF2204,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK2145-Y(TE85L,F)
2SK2145-Y(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-25-5,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:10 V; 最大连续漏极电流:14 mA; 最大门源电压:-1.5 V; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ...