IRF3710
IRF3710,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK1875-V(TE85L,F)
2SK1875-V(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:32 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
IRFS3107
IRFS3107,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=230A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL7437
IRFSL7437,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=250A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ44N
IRFZ44N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J106
J106,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLMS1902
IRLMS1902,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8301M
IRF8301M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=192A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3708
IRFR3708,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=12.5mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLMS1503
IRLMS1503,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3415S
IRF3415S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7004
IRFH7004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=259A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J111_D74Z
J111_D74Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFR3709ZC
IRFR3709ZC,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-55143-BLKG
ATF-55143-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:-5 to 1 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...
IRF7456PBF-1
IRF7456PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7545
IRFH7545,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.2mOhms,Id=85A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8202
IRFH8202,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.05mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ310
MMBFJ310,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFU4510
IRFU4510,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=45A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562