IRLH7134
IRLH7134,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=134A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML0100
IRLML0100,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=220.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807VPBF-1
IRF7807VPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7194
IRFH7194,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.4mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB8314
IRLB8314,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=171A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF512,235
BF512,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:30 mA; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRL2203N
IRL2203N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLL2703
IRLL2703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML2030
IRLML2030,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8334PBF-1
IRFH8334PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFR30,215
BFR30,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
IRFSL3004
IRFSL3004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.75mOhms,Id=340A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL540N
IRL540N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2905Z
IRLR2905Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7730
IRFB7730,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=246A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLZ24N
IRLZ24N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3520S03-A
NE3520S03-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
IRFP7537
IRFP7537,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=172A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU3915
IRLU3915,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=14mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CLF1G0035S-100,112
CLF1G0035S-100,112,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-467B-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...