IRFR7546
IRFR7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.9mOhms,Id=71A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL520N
IRL520N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=180.0mOhms,Id=10A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHS6242
IRLHS6242,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=22A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHM830
IRFHM830,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLL2705
IRLL2705,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ46NS
IRFZ46NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.5mOhms,Id=53A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH3702
IRFH3702,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3 x 3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.1mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CPH5902H-TL-E
CPH5902H-TL-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLMS1902
IRLMS1902,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFIZ24N
IRFIZ24N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,Id=13A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS3207
IRFS3207,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6635
IRF6635,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6637
IRF6637,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MP封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6717M
IRF6717M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=220A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF5486
MMBF5486,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7946
IRF7946,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=198A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3707ZS
IRF3707ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.5mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4110
IRFP4110,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK170BL(F)
2SK170BL(F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:12 mA; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFZ24NS
IRFZ24NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562