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PMBFJ308,215

PMBFJ308,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买...

PF5102

PF5102,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRF7495

IRF7495,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

U404

U404,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-71-6,参数:配置:Dual; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRF1404ZS

IRF1404ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.7mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF1607

IRF1607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.5mOhms,Id=142A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MMBF4392LT1G

MMBF4392LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...

IRLZ24N

IRLZ24N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF5801

IRF5801,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=2200.0mOhms,Id=0.6A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFS4310

IRFS4310,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFU220N

IRFU220N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=600mOhms,Id=3.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF3415S

IRF3415S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=42.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFR4105Z

IRFR4105Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=24.5mOhms,Id=30A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFR812

IRFR812,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=500V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2200.0mOhms,Id=3.6A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF6628

IRF6628,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFS3806

IRFS3806,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.8mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF1010EZS

IRF1010EZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.5mOhms,Id=84A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFP048N

IRFP048N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRLS3036

IRLS3036,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFHS8342

IRFHS8342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562