U441
U441,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-71-6,参数:配置:Dual; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7451
IRF7451,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7465
IRF7465,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=280.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7458
IRF7458,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH8321
IRFH8321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,Id=83A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHM630
IRLHM630,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-38143-TR1G
ATF-38143-TR1G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4.5 V; 最大连续漏极电流:145 mA; 最大门源电压:-4 V; 最大漏极栅极电压:-4 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
IRF7580M
IRF7580M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ME封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.6mOhms,Id=116A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7734-7P
IRFS7734-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.05mOhms,Id=197A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHS8342
IRFHS8342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6618
IRF6618,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7787
IRFB7787,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS3607
IRFS3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB4030
IRLB4030,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
IRF4104
IRF4104,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.5mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL1004S
IRL1004S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7402
IRF7402,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR024N
IRFR024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=75.0mOhms,Id=16A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7430-7P
IRFS7430-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.75mOhms,Id=522A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562