IRFR3710Z
IRFR3710Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=18.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM1213-18L
TIM1213-18L,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11C1B,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:11500 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:075...
TF408-3-TL-HX
TF408-3-TL-HX,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
IRF3805
IRF3805,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=220A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MCH3914-8-TL-H
MCH3914-8-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
IRLR7821
IRLR7821,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=65A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF256-4-TL-H
TF256-4-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MMBF4393LT3G
MMBF4393LT3G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRL3103
IRL3103,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLI3705N
IRLI3705N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=10.0mOhms,Id=47A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8707PBF-1
IRF8707PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-34143-TR1G
ATF-34143-TR1G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:145 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
MPF4393RLRPG
MPF4393RLRPG,场效应晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRLR2705
IRLR2705,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=28A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3205L
IRF3205L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB260N
IRFB260N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL1404Z
IRL1404Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.1mOhms,Id=200A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLH6224
IRLH6224,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM5867-15UL
TIM5867-15UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:12000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:07...
IRFSL3206
IRFSL3206,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562