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IRFB4410Z

IRFB4410Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=97A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...

J111_D26Z

J111_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838975...

IRFSL3607

IRFSL3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFZ34NS

IRFZ34NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=29A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF6648

IRF6648,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MN封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRL1404

IRL1404,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFB7537

IRFB7537,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=173A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRLH5036

IRLH5036,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

2SK208-R(TE85L,F)

2SK208-R(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:0.75 mA; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...

IRL3103S

IRL3103S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=64A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFH4213

IRFH4213,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.35mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF7478

IRF7478,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF7821PBF-1

IRF7821PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.1mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFHM4226

IRFHM4226,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFP250N

IRFP250N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=75.0mOhms,Id=30A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRLU2905

IRLU2905,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=27mOhms,Id=23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRL1404S

IRL1404S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF2804L

IRF2804L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=280A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFSL4410Z

IRFSL4410Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=97A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562