IRLML2060
IRLML2060,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3557-7-TB-E
2SK3557-7-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
IRF6725M
IRF6725M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU1205
IRFU1205,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=27mOhms,Id=23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3717
IRF3717,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4392-E3
2N4392-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFSL7440
IRFSL7440,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=208A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3505
IRFR3505,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=71A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4468
IRFP4468,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=290A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFBA1405P
IRFBA1405P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Super 220 (TO-273AA)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.0mOhms,Id=174A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2908
IRLR2908,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=80V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=28.0mOhms,Id=39A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBFJ308,215
PMBFJ308,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:-25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买...
2N4119A-E3
2N4119A-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AF-4,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFH5302D
IRFH5302D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1404
IRF1404,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=162A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF530NS
IRF530NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU3410
IRFU3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLSL3036
IRLSL3036,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3557-6-TB-E
2SK3557-6-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
IRFZ44VZS
IRFZ44VZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562