IRFP1405
IRFP1405,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.3mOhms,Id=160A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK208-O(TE85L,F)
2SK208-O(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1.4 mA; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRFB4321
IRFB4321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,Id=83A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU2405
IRFU2405,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7734
IRFB7734,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.5mOhms,Id=183A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4391
MMBF4391,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
NE3520S03-T1C-A
NE3520S03-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
IRLR8726
IRLR8726,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.8mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3703
IRF3703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.8mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU024N
IRLU024N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=65mOhms,Id=11A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-34143-TR2G
ATF-34143-TR2G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:145 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
IRL3803V
IRL3803V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=5.5mOhms,Id=140A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6892S
IRF6892S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S3C封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=125A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ44VZS
IRFZ44VZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4227
IRFP4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=25.0mOhms,Id=65A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2908
IRLR2908,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=80V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=28.0mOhms,Id=39A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-541M4-BLK
ATF-541M4-BLK,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:1 V; 最大漏极栅极电压:5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:S...
IRLR3915
IRLR3915,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=14.0mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8788PBF-1
IRF8788PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB812
IRFB812,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=500V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2200.0mOhms,Id=3.6A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562