IRF540NL
IRF540NL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=33A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3717
IRF3717,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3806
IRFB3806,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.8mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6724M
IRF6724M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU3915
IRLU3915,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=14mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J111_D26Z
J111_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838975...
IRF1503S
IRF1503S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=190A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4119
MMBF4119,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF640NL
IRF640NL,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Id=18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3805S
IRF3805S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=220A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR2405
IRFR2405,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7171M
IRF7171M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MN封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=93A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7746
IRFB7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=10.6mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6645
IRF6645,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SJ封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=35.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS23N15D
IRFS23N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,Id=23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMMBFJ310LT3G
SMMBFJ310LT3G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRL2505S
IRL2505S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=104A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF530N
IRF530N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,Id=17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4201
IRFH4201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.95mOhms,Id=326A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6628
IRF6628,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562