2SK715W
2SK715W,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SPA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
2SK596S-C
2SK596S-C,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SC-72-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大连续漏极电流:1 mA; 最大漏极栅极电压:-20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLML0060
IRLML0060,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=92.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7413
IRF7413,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5110
IRFH5110,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.4mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL2703
IRL2703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6727M
IRF6727M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7085
IRFH7085,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.2mOhms,Id=147A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFI4227
IRFI4227,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=26A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFZ48ZS
IRFZ48ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFBA90N20D
IRFBA90N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Super 220 (TO-273AA)封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=98A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6710S2
IRF6710S2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S1封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.9mOhms,Id=37A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1104L
IRF1104L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6618
IRF6618,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7446
IRFH7446,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=117A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6648
IRF6648,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MN封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU220N
IRFU220N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=600mOhms,Id=3.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR8256
IRLR8256,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.7mOhms,Id=81A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6635
IRF6635,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7107
IRFH7107,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.5mOhms,Id=75A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562