IRFR1018E
IRFR1018E,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=79A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6716M
IRF6716M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TF408-3-TL-H
TF408-3-TL-H,场效应晶体管,品牌:ON,封装:USFP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
NE3508M04-T2-A
NE3508M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方...
IRF1407S
IRF1407S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.8mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5010
IRFH5010,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7468
IRF7468,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=40V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=15.5mOhms,Id=9.0A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5220
IRFH5220,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=99.9mOhms,Id=20A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR7746
IRFR7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-PAK封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.2mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5015
IRFH5015,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=31.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR4105Z
IRFR4105Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=24.5mOhms,Id=30A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR4105
IRFR4105,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=25A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFIZ24N
IRFIZ24N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=70.0mOhms,Id=13A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2903ZS
IRF2903ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=260A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2908
IRLR2908,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=80V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=28.0mOhms,Id=39A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7084
IRFH7084,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=265A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3307
IRFB3307,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.3mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL540NS
IRL540NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=44.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK3666-4-TB-E
2SK3666-4-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:10 mA; 最大门源电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
J112_D74Z
J112_D74Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562