5HN01C-TB-E
5HN01C-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:50 V; 最大连续漏极电流:100 mA; 最大门源电压:±20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFHS8342
IRFHS8342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHS6242
IRLHS6242,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=22A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFU310LT1G
MMBFU310LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFZ48V
IRFZ48V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=72A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CLF1G0060-30,112
CLF1G0060-30,112,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-1227A-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150 V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF6798M
IRF6798M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,Id=197A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CLF1G0035S-100PU
CLF1G0035S-100PU,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:CDFM-4,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
IRF1010ES
IRF1010ES,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=83A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4339
2N4339,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AA-2,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-50 V; 最大漏极栅极电压:-50 V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7457
IRF7457,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5406
IRFH5406,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.4mOhms,Id=40A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ309LT1G
MMBFJ309LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
ATF-33143-BLKG
ATF-33143-BLKG,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-343-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:305 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
IRFZ44ZS
IRFZ44ZS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=51A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFU13N20D
IRFU13N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=235mOhms,Id=9.5A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6810S
IRF6810S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S1封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=5.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8707
IRF8707,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML2803
IRLML2803,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=250.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2908
IRLR2908,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=80V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=28.0mOhms,Id=39A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562